[发明专利]半导体封装体

说明书

一种半导体封装体，包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。中介层结构也包括排置于绝缘基体的第一表面上且对应于半导体芯片的多个岛型层。一部分的封胶层夹设于至少两个岛型层之间。或者，中介层结构包括一钝化护层，覆盖绝缘基体的第二表面，且具有沿着绝缘基体的周围边缘延伸的一凹槽。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体封装技术，且特别涉及一种具有中介层(interposer)结构的半导体封装体。

背景技术

半导体装置被用于各种电子应用中，例如，个人电脑、手机、数码相机和其他电子装置。通常通过以下方法制造半导体装置：依序于半导体基底上沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体材料层，并使用微影及蚀刻工艺对各种材料层进行图案化，以在其上形成电路部件及元件。

半导体集成电路(IC)工业经历了快速地增长。随着半导体技术的发展，半导体芯片/晶粒变得越来越小。因此，半导体芯片的封装变得更加困难，这不利地影响了封装的良率。

在一种传统的封装技术中，在封装晶圆之前，从晶圆切割出芯片。这种封装技术的一个优点特征在于可形成扇出式(fan-out)封装。此封装技术的另一个优点特征在于对“已知合格芯片(known-good-dies)”进行封装，且丢弃有缺陷的芯片，因此，不会浪费金钱和精力在有缺陷的芯片上。

然而，由于装置尺寸持续减小，因此变得更加难以进行工艺，并且出现了其他需要解决的问题。

发明内容

一种半导体封装体包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。中介层结构也包括排置于绝缘基体的第一表面上且对应于半导体芯片的多个岛型层。一部分的封胶层夹设于至少两个岛型层之间。

一种半导体封装体包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。中介层结构也包括形成于绝缘基体的第二表面上方并沿绝缘基体的至少一外围边缘排置的多个接垫。中介层结构也包括一钝化层，覆盖绝缘基体的第二表面且具有一凹槽沿绝缘基体的外围边缘延伸以围绕接垫的。

一种半导体封装体包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。中介层结构也包括一钝化层，覆盖绝缘基体的第二表面并具有第一凹槽及第二凹槽。第一凹槽排置于绝缘基体的一外围边缘处，而第二凹槽排置于绝缘基体的一外围角落处并邻接第一凹槽。

附图说明

图1A至图1E是示出根据一些实施例的形成半导体封装体的各个阶段的剖面示意图。

图1E-1示出根据一些实施例的半导体封装体的剖面示意图。

图1E-2示出根据一些实施例的半导体封装体的剖面示意图。

图2A至图2E是示出根据一些实施例的形成中介层结构的各个阶段的剖面示意图。

图3A是示出根据一些实施例的图1E中区域1000的平面示意图。

图3B是示出根据一些实施例的图1E-1中区域1001的平面示意图。

图3C是示出根据一些实施例的图1E-2中区域1002的平面示意图。