[发明专利]一种多通道双向升降压电路

权利要求书

1.一种多通道双向升降压电路，其特征在于，包括：

直流电源；

第一宽禁带半导体双向开关，所述第一宽禁带半导体双向开关的第一端与所述直流电源的正输出端相连；

电感，所述电感的第一端与所述第一宽禁带半导体双向开关的第二端相连，所述电感的第一端与所述多通道双向升降压电路的高压母线节点相连；

第二宽禁带半导体双向开关，所述第二宽禁带半导体双向开关的第一端与所述电感的第二端相连；

储能设备，所述储能设备的第一端与所述第二宽禁带半导体双向开关的第二端相连，所述储能设备的第二端与所述直流电源的负输出端相连；

滤波储能元件，所述滤波储能元件与所述储能设备并联；

第一通路支路，所述第一通路支路为具有由第一端向第二端单向导通功能的半导体元件或由半导体元件构成的电路，所述第一通路支路的第一端与所述直流电源的负输出端相连，所述第一通路支路的第二端与所述第一宽禁带半导体双向开关的第二端相连；

第二通路支路，所述第二通路支路为具有由第一端向第二端单向导通功能的半导体元件或由半导体元件构成的电路，所述第二通路支路的第一端与所述直流电源的负输出端相连，所述第二通路支路的第二端与所述电感的第二端相连；

高压母线支路，所述高压母线支路设置在所述电感的第一端与所述高压母线节点之间；

所述高压母线支路至少包括第三宽禁带半导体双向开关，所述第三宽禁带半导体双向开关的第二端与所述第一宽禁带半导体双向开关的第二端相连，所述第三宽禁带半导体双向开关的第一端作为所述多通道双向升降压电路的高压母线输出端；

所述高压母线支路，还包括：

第四宽禁带半导体双向开关，所述第四宽禁带半导体双向开关的第一端与所述第三宽禁带半导体双向开关相连，所述第四宽禁带半导体双向开关的第二端与所述电感的第二端相连。

2.根据权利要求1所述的多通道双向升降压电路，其特征在于，包括：

第一通路支路和/或第二通路支路为二极管。

3.根据权利要求1所述的多通道双向升降压电路，其特征在于，包括：

第一通路支路和/或第二通路支路为二极管为MOSFET或IGBT单向开关。

4.根据权利要求1所述的多通道双向升降压电路，其特征在于，包括：

所述高压母线支路的数量不小于2。