[发明专利]一种多通道双向升降压电路

说明书

本发明提供一种多通道双向升降压电路，通过控制各宽禁带半导体双向开关的门极驱动时序，实现多个通道之间的电能自由传递，即，在不同时刻，供电电源可以变成接受电能的负载，负载也可以变成供电电源，比如：储能设备充电时是作为负载来使用的，放电时就是供电电源来使用的，本方案通过采用宽禁带半导体双向开关来对电路进行控制，相较于现有技术中的MOSFET或IGBT进行控制的方式而言，电路结构简单，总功耗更低。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种多通道双向升降压电路。

背景技术

要实现多通道升降压变换电路，如果使用传统的MOSFET或IGBT，其具有电路设计复杂，功耗高的缺点。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种多通道双向升降压电路，以提供一种结构简单，功耗低的多通道双向升降压电路。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种多通道双向升降压电路，包括：

直流电源；

第一宽禁带半导体双向开关，所述第一宽禁带半导体双向开关的第一端与所述直流电源的正输出端相连；

电感，所述电感的第一端与所述第一宽禁带半导体双向开关的第二端相连，所述电感的第一端与所述多通道双向升降压电路的高压母线节点相连；

第二宽禁带半导体双向开关，所述第二宽禁带半导体双向开关的第一端与所述电感的第二端相连；

储能设备，所述储能设备的第一端与所述第二宽禁带半导体双向开关的第二端相连，所述储能设备的第二端与所述直流电源的负输出端相连；

滤波储能元件，所述滤波储能元件与所述储能设备并联；

第一通路支路，所述第一半导体元件为具有由第一端向第二端单向导通功能的半导体元件或由半导体元件构成的电路，所述第一通路支路的第一端与所述直流电源的负输出端相连，所述第一通路支路的第二端与所述第一宽禁带半导体双向开关的第二端相连；

第二通路支路，所述第二半导体元件为具有由第一端向第二端单向导通功能的半导体元件或由半导体元件构成的电路，所述第二通路支路的第一端与所述直流电源的负输出端相连，所述第二通路支路的第二端与所述电感的第二端相连。

可选的，上述多通道双向升降压电路中，还包括：

高压母线支路，所述高压母线支路设置在所述电感的第一端与所述高压母线节点之间；

所述高压母线支路至少包括第三宽禁带半导体双向开关，所述第三宽禁带半导体双向开关的第二端与所述第一宽禁带半导体双向开关的第二端相连，所述第三宽禁带半导体双向开关的第一端作为所述多通道双向升降压电路的高压母线输出端。

可选的，上述多通道双向升降压电路中，所述高压母线支路，还包括：

第四宽禁带半导体双向开关，所述第四宽禁带半导体双向开关的第一端与所述第三宽禁带半导体双向开关相连，所述第四宽禁带半导体双向开关的第二端与所述电感的第二端相连。

可选的，上述多通道双向升降压电路中，包括：

第一通路支路和/或第二通路支路为二极管。

可选的，上述多通道双向升降压电路中，包括：

第一通路支路和/或第二通路支路为二极管为MOSFET或IGBT单向开关。

可选的，上述多通道双向升降压电路中，包括：

所述高压母线支路的数量不小于2。

可选的，上述多通道双向升降压电路中，