[发明专利]磁存储装置在审
申请号: | 201911391930.3 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111724845A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 上田善宽;宫野信治 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
1.一种磁存储装置,具备:
第1磁性体部以及第2磁性体部,其各自能够在预定方向上保持多个磁畴,与在所述预定方向上流动电流相应地使所保持的磁畴移位,彼此的端部区域连接;
读出元件,其与作为所述第1磁性体部和所述第2磁性体部的连接部分的磁性体区域电连接,读出所述磁性体区域所保持的磁畴的磁化方向;以及
写入元件,其对所述磁性体区域写入与记录信息相应的磁化方向的磁畴。
2.根据权利要求1所述的磁存储装置,
所述第1磁性体部以及所述第2磁性体部各自包含在所述预定方向上延伸的筒状的铁磁性体部。
3.根据权利要求1或2所述的磁存储装置,
还具备位线,
所述读出元件电连接在所述磁性体区域与所述位线之间。
4.根据权利要求3所述的磁存储装置,
所述读出元件是磁阻效应元件。
5.根据权利要求3或4所述的磁存储装置,还具备:
第1源极线;
第2源极线;
第1开关,其将所述第1磁性体部的与所述磁性体区域相反侧的端部区域和所述第1源极线之间连接或者切断;以及
第2开关,其将所述第2磁性体部的与所述磁性体区域相反侧的端部区域和所述第2源极线之间连接或者切断。
6.根据权利要求5所述的磁存储装置,
所述第1开关以及所述第2开关是在截止状态下被施加了门限电压值以上的电压的情况下变化为导通状态、在所述导通状态下持续流动保持电流值以上的电流的情况下维持所述导通状态的两端子间开关元件。
7.根据权利要求5所述的磁存储装置,
所述第1开关以及所述第2开关是场效应晶体管。
8.根据权利要求5~7中任一项所述的磁存储装置,
所述第1磁性体部以及所述第2磁性体部的除了所述磁性体区域一侧的端部区域之外的存储区域在第1方向上延伸,
所述第1磁性体部中的所述存储区域和所述第2磁性体部中的所述存储区域在与所述第1方向交叉的第2方向上排列配置,
所述第1磁性体部以及所述第2磁性体部的所述磁性体区域一侧的端部区域向所述第2方向弯曲而连接。
9.根据权利要求8所述的磁存储装置,
所述位线在所述第2方向上延伸,
所述第1源极线以及所述第2源极线在与所述第1方向以及所述第2方向交叉的第3方向上延伸。
10.根据权利要求9所述的磁存储装置,
所述写入元件是在所述第3方向上延伸的场线。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的磁存储装置,
所述写入元件通过由所流动的电流产生的磁场对所述磁性体区域写入与记录信息相应的磁化方向的磁畴。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的磁存储装置,
所述磁性体区域设置在所述读出元件与所述写入元件之间。
13.一种磁存储装置,具备:
第1磁性体部以及第2磁性体部,其各自能够在预定方向上保持多个磁畴,与在所述预定方向上流动电流相应地使所保持的磁畴移位,彼此的端部区域连接;和
控制器,其在对所述第1磁性体部进行访问的情况下,使所述第1磁性体部为能够供给电流的状态,并且设为对所述第2磁性体部不供给电流的状态,在对所述第2磁性体部进行访问的情况下,设为对所述第1磁性体部不供给电流的状态,并且使所述第2磁性体部为能够供给电流的状态。
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