[发明专利]磁存储装置在审
申请号: | 201911391930.3 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111724845A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 上田善宽;宫野信治 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张轶楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
根据一个实施方式,提供一种磁存储装置。磁存储装置具备第1磁性体部以及第2磁性体部、读出元件、写入元件。第1磁性体部以及第2磁性体部各自能够在预定方向上保持多个磁畴,与在预定方向上流动电流相应地使所保持的磁畴移位,彼此的端部区域连接。读出元件与作为第1磁性体部和第2磁性体部的连接部分的磁性体区域电连接,读出磁性体区域所保持的磁畴的磁化方向。写入元件对磁性体区域写入与记录信息相应的磁化方向的磁畴。
本申请以2019年3月20日在先申请的日本国专利申请第2019-052868号的优先权的利益为基础,并且,请求该利益,其内容整体通过引用而包含于此。
技术领域
本实施方式涉及磁存储装置。
背景技术
磁性体会发生通过流动电流而磁畴壁在细线的长度方向上移动的被称为磁畴壁移位的现象。提出了利用磁畴壁移位的原理来使形成于基板的磁性体存储大量磁畴的磁畴壁移动存储器。
另外,也提出了在基板形成了大量磁性体的磁畴壁移动存储器。例如,在贯通基板的方向上形成多个孔,在所形成的多个孔各自的内侧面形成铁磁性材料膜。通过这样的方法,能够在一个基板形成多个磁性体。这样形成的磁性体能够在贯通基板的方向上保持多个磁畴。因此,这样的磁畴壁移动存储器能够提高平面内的存储密度,并且也能够提高垂直方向的存储密度。
这样的磁畴壁移动存储器与多个磁性体分别对应地具备写入元件、读出元件以及开关。另外,这样的磁畴壁移动存储器也具备大量的布线。因此,对于这样的磁畴壁移动存储器,如果未能高效地配置所包含的构成要素,则无法使记录密度提高。
发明内容
一个实施方式的目的在于提供能够适当地配置所包含的构成要素来使记录密度提高的磁存储装置。
根据一个实施方式,提供一种磁存储装置。所述磁存储装置具备第1磁性体部以及第2磁性体部、读出元件和写入元件。所述第1磁性体部以及所述第2磁性体部各自能够在预定方向上保持多个磁畴,与在所述预定方向上流动电流相应地使所保持的磁畴移位,彼此的端部区域连接。所述读出元件与作为所述第1磁性体部和所述第2磁性体部的连接部分的磁性体区域电连接,读出所述磁性体区域所保持的磁畴的磁化方向。所述写入元件对所述磁性体区域写入与记录信息相应的磁化方向的磁畴。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁存储装置的构成的图。
图2是表示存储单元阵列的一部分的示意性构成的图。
图3是表示读出元件的构成的图。
图4是表示施加于存储单元的电压以及在存储单元中流动的电流的特性的图。
图5是表示磁性体的存储区域的图。
图6是表示磁性体所保持的磁畴以及记录信息的一个例子的图。
图7是表示对于第1磁性体部流动读出电流或者移位电流的情况下的开关状态的图。
图8是表示对于第2磁性体部流动读出电流或者移位电流的情况下的开关状态的图。
图9是表示写入时以及读出时的磁存储装置的处理流程的图。
图10是表示对第1磁性体部进行写入时的保持于第1磁性体部的磁畴的一个例子的图。
图11是表示对第2磁性体部进行写入时的保持于第2磁性体部的磁畴的一个例子的图。
图12是对第1磁性体部进行读出时的保持于第1磁性体部的磁畴的一个例子的图。
图13是对第2磁性体部进行读出时的保持于第2磁性体部的磁畴的一个例子的图。
图14是存储装置中的包含一个存储单元的部分区域的剖视图。
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