[发明专利]一种埋入式转接板及其封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种埋入式转接板的封装结构的制造方法，包括：

在转接板的表面焊盘上形成凸起结构；

制作开孔介质层，所述开孔介质层的厚度小于所述凸起结构的高度，所述开孔介质层中具有与所述凸起结构对应的通孔；

将所述开孔介质层与所述转接板对贴，使得所述凸起结构穿过所述开孔介质层内的通孔并从开孔介质层的顶面凸出出来；

填充所述开孔介质层内的通孔与所述凸起结构之间的间隙；

芯片与埋有转接板的基板对贴。

2.如权利要求1所述的埋入式转接板的封装结构的制造方法，其特征在于，在转接板的表面焊盘上形成凸起结构包括：

在转接板的焊盘所在的整个表面溅射电镀种子层；

在种子层表面上形成光阻材料层后，通过光刻工艺暴露转接板表面的焊盘区域；

在转接板的暴露区域沉积金属并进行表面平坦化；

去除光阻和电镀种子层，得到焊盘区域上的凸起结构。

3.如权利要求2所述的埋入式转接板的封装结构的制造方法，其特征在于，对凸起结构进行表面处理，在表面形成Ni-Au复合层。

4.如权利要求1所述的埋入式转接板的封装结构的制造方法，其特征在于，芯片与埋有转接板的基板对贴包括将所述凸起结构与外接芯片进行互连。

5.如权利要求1所述的埋入式转接板的封装结构的制造方法，其特征在于，通过激光或者光刻技术在开孔介质层内形成通孔，所述开孔介质层内的通孔的截面面积大于所述凸起结构的截面面积，所述开孔介质层内的通孔的间距与所述凸起结构的间距相等。

6.如权利要求1所述的埋入式转接板的封装结构的制造方法，其特征在于，故通过压合填充介质层完成填充所述开孔介质层内的通孔与所述凸起结构之间的间隙，然后使凸起结构的表面暴露。

7.一种通过权利要求1至6中任一项所述的方法形成的埋入式转接板的封装结构，包括：

设置在转接板内部的一层或多层再布线层；

设置在转接板表面的金属焊盘；

设置在金属焊盘上的凸起结构，其中所述凸起结构用于与外接芯片进行互连。

8.如权利要求7所述的埋入式转接板的封装结构，其特征在于，还包括开孔介质层，所述开孔介质层的厚度小于所述凸起结构的高度，所述开孔介质层中具有与所述凸起结构对应的通孔，所述开孔介质层与所述转接板对贴，使得所述凸起结构穿过所述开孔介质层内的通孔并从开孔介质层的顶面凸出出来。

9.如权利要求8所述的埋入式转接板的封装结构，其特征在于，所述开孔介质层内的通孔的截面面积大于所述凸起结构的截面面积，所述开孔介质层内的通孔的间距与所述凸起结构的间距相等。

10.如权利要求8所述的埋入式转接板的封装结构，其特征在于，还包括填充介质层，所述填充介质层填充所述开孔介质层内的通孔与凸起结构之间的间隙。