[发明专利]一种埋入式转接板及其封装结构的制造方法

说明书

本发明公开了一种埋入式转接板，包括：设置在转接板内部的一层或多层再布线层；设置在转接板表面的金属焊盘；以及设置在金属焊盘上的凸起结构，其中所述凸起结构用于与外接芯片进行互连。

技术领域

本发明涉及半导体制造及封装技术领域。具体而言，本发明涉及一种埋入式转接板及其封装结构的制造方法。

背景技术

随着电子产品小型化、集成化、智能化的发展，IC芯片的复杂度在大幅增加，对应的IO引脚的数量也大幅提升。

嵌入式多芯片互联桥接通过在基板局部埋入转接板来实现芯片到芯片之间的互联通信，在局部实现高密度的互联(500-1000I/O/mm)，从而实现局部带宽增强。

图1A至图1D示出现有的基板局部埋入转接板的工艺过程的截面示意图。如图1A所示，转接板埋入，上层压合介质层；如图1B所示，介质层开孔至转接板表面接触金属焊盘，一般为激光开孔或者光刻方式；如图1C所示，孔金属化，形成焊盘；如图1D所示，芯片与基板贴合。

如图1A至图1D所示，在转接板埋入基板后，先在转接板上压合介质层并在介质层上开盲孔至转接板表面接触焊盘，后通过镀金属晶种层和电镀金属来实现孔的金属化和电信号的引出。其中，介质层上开孔可以是通过激光钻孔(激光蚀刻)或者光刻工艺(掩模和蚀刻)。由于需求较高的I/O密度，导致介质层上开孔直径及间距非常小，目前已量产的技术中孔径约38微米，孔间距55微米，随着技术的进一步发展，I/O密度会越来越高，这对介质层开孔工艺是一大挑战。对于激光开孔，该工艺无法满足高互联密度时窄节距、小孔径的需求，另外，埋入式转接板的厚度一般小于70微米，通常为50微米、30微米甚至更低，导致转接板表面金属接触焊盘厚度约3～5微米，故激光蚀刻介质层过程中容易因能量控制不合理导致转接板表面金属焊盘受损而产生缺陷，影响后续孔金属化工艺，导致电学上的不良，这也会导致激光加工能量窗口的选择性较窄。而对于光刻开孔技术，需要投入大量财力物力进行特殊光敏材料的研发来提高开孔能力。

因此，如何实现通过简单的过孔方式实现转接板表面金属焊盘与多芯片之间电信号的互联，同时不受开孔孔径、间距限制的影响，成为本领域急需解决的一大难题。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供一种埋入式转接板，包括：

设置在转接板内部的一层或多层再布线层；

设置在转接板表面的金属焊盘；以及

设置在金属焊盘上的凸起结构，其中所述凸起结构用于与外接芯片进行互连。

在本发明的一个实施例中，该埋入式转接板还包括开孔介质层，所述开孔介质层的厚度小于所述凸起结构的高度，所述开孔介质层中具有与所述凸起结构对应的通孔，所述开孔介质层与所述转接板对贴，使得所述凸起结构穿过所述开孔介质层内的通孔并从开孔介质层的顶面凸出出来。

在本发明的一个实施例中，所述开孔介质层内的通孔的截面面积大于所述凸起结构的截面面积，所述开孔介质层内的通孔的间距与所述凸起结构的间距相等。

在本发明的一个实施例中，埋入式转接板还包括填充介质层，所述填充介质层填充所述开孔介质层内的通孔与凸起结构之间的间隙。

根据本发明的另一个方面，提供一种埋入式转接板的封装结构的制造方法，包括：

在转接板的表面焊盘上形成凸起结构；

制作开孔介质层，所述开孔介质层的厚度小于所述凸起结构的高度，所述开孔介质层中具有与所述凸起结构对应的通孔；

将所述开孔介质层与所述转接板对贴，使得所述凸起结构穿过所述开孔介质层内的通孔并从开孔介质层的顶面凸出出来；

填充所述开孔介质层内的通孔与所述凸起结构之间的间隙；