[发明专利]一种高性能电容引线框架有效
申请号: | 201911392358.2 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111128944B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 谭维升 | 申请(专利权)人: | 南通南平电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48;H01G4/228 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226316 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 电容 引线 框架 | ||
1.一种高性能电容引线框架,其特征在于:由以下原料按质量百分比计制得:银0.15~0.25%、铝0.20~0.30%、锰0.05~0.08%、锡0.15~0.25%、硅0.45~0.62%、铅0.90~1.50%、锑0.03~0.04%、稀土元素0.01~0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质。
2.根据权利要求1所述的一种高性能电容引线框架,其特征在于:由以下原料按质量百分比计制得:银0.2%、铝0.25%、锰0.07%、锡0.2%、硅0.55%、铅1.25%、锑0.03%、稀土元素0.015%、余量为铜及不可避免的微量杂质。
3.根据权利要求1所述的一种高性能电容引线框架,其特征在于:其制备方法包括以下步骤:
步骤一:按照百分比称取铜料,随后将铜料加入到加热炉中,溶解为铜液;
步骤二:按照百分比称取银、铝、锰、锡、硅、铅、锑及稀土元素添加到加热炉中;
步骤三:将得到的混合铜液注入到真空模具中,接着冷却得到高性能电容引线框架。
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