[发明专利]一种高性能电容引线框架有效

专利信息
申请号: 201911392358.2 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111128944B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 谭维升 申请(专利权)人: 南通南平电子科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48;H01G4/228
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226316 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 电容 引线 框架
【权利要求书】:

1.一种高性能电容引线框架,其特征在于:由以下原料按质量百分比计制得:银0.15~0.25%、铝0.20~0.30%、锰0.05~0.08%、锡0.15~0.25%、硅0.45~0.62%、铅0.90~1.50%、锑0.03~0.04%、稀土元素0.01~0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质。

2.根据权利要求1所述的一种高性能电容引线框架,其特征在于:由以下原料按质量百分比计制得:银0.2%、铝0.25%、锰0.07%、锡0.2%、硅0.55%、铅1.25%、锑0.03%、稀土元素0.015%、余量为铜及不可避免的微量杂质。

3.根据权利要求1所述的一种高性能电容引线框架,其特征在于:其制备方法包括以下步骤:

步骤一:按照百分比称取铜料,随后将铜料加入到加热炉中,溶解为铜液;

步骤二:按照百分比称取银、铝、锰、锡、硅、铅、锑及稀土元素添加到加热炉中;

步骤三:将得到的混合铜液注入到真空模具中,接着冷却得到高性能电容引线框架。

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