[发明专利]一种高性能电容引线框架

说明书

本发明公开了一种高性能电容引线框架，由以下原料按质量百分比计制得：银0.15～0.25%、铝0.20～0.30%、锰0.05～0.08%、锡0.15～0.25%、硅0.45～0.62%、铅0.90～1.50%、锑0.03～0.04%、稀土元素0.01～0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质，本发明制得的电容引线框架的导电性较传统的电容引线框架的导电性大大提升。

技术领域

本发明涉及电容引线框架技术领域，具体为一种高性能电容引线框架。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。

有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有：KFC、C194、C7025、FeNi42、TAMAC-15、PMC-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能：（强度、导电性能以及导热性能）来选择。

传统的电容引线框架导电性能低，从而容易导致电子设备失灵或者解除不良的情况，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高性能电容引线框架，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高性能电容引线框架，由以下原料按质量百分比计制得：银0.15～0.25%、铝0.20～0.30%、锰0.05～0.08%、锡0.15～0.25%、硅0.45～0.62%、铅0.90～1.50%、锑0.03～0.04%、稀土元素0.01～0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质。

优选的，由以下原料按质量百分比计制得：银0.2%、铝0.25%、锰0.07%、锡0.2%、硅0.55%、铅1.25%、锑0.03%、稀土元素0.015%、余量为铜及不可避免的微量杂质。

优选的，其制备方法包括以下步骤：

步骤一：按照百分比称取铜料，随后将铜料加入到加热炉中，溶解为铜液；

步骤二：按照百分比称取银、铝、锰、锡、硅、铅、锑及稀土元素添加到加热炉中；

步骤三：将得到的混合铜液注入到真空模具中，接着冷却得到高性能电容引线框架。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明制得的电容引线框架的导电性较传统的电容引线框架的导电性大大提升。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供一种技术方案：一种高性能电容引线框架，由以下原料按质量百分比计制得：银0.15～0.25%、铝0.20～0.30%、锰0.05～0.08%、锡0.15～0.25%、硅0.45～0.62%、铅0.90～1.50%、锑0.03～0.04%、稀土元素0.01～0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质。

一种高性能电容引线框架，其制备方法包括以下步骤：

步骤一：按照百分比称取铜料，随后将铜料加入到加热炉中，溶解为铜液；

步骤二：按照百分比称取银、铝、锰、锡、硅、铅、锑及稀土元素添加到加热炉中；