[发明专利]放大器及射频集成电路

权利要求书

1.一种放大器，其特征在于，包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；

其中，所述放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管与所述第二场效应晶体管串联连接；

所述第一偏置单元与所述放大单元的第一端连接，用于为所述第一场效应晶体管提供偏置电压；

所述第二偏置单元与所述放大单元的第二端连接，用于为所述第二场效应晶体管提供偏置电压；

所述第一反馈单元的第一端与所述放大单元的第四端连接；所述第一反馈单元的第二端与所述放大单元的第一端连接，用于为所述第一场效应晶体管提供反馈电压信号；

所述放大单元的第三端输入射频信号，所述放大单元的第四端输出放大后的射频信号。

2.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第二偏置单元包括：第三场效应晶体管、第六电阻、第七电阻、第八电阻及第七电容；

所述第三场效应晶体管，栅极分别与所述第七电阻的第一端、所述第七电容的第一端及所述第八电阻的第一端连接，漏极分别与所述第七电阻的第二端及所述第六电阻的第一端连接，源极接地；

所述第七电容的第二端接地；所述第八电阻的第二端与所述放大单元的第二端连接；所述第六电阻的第二端与第二电源端连接。

3.如权利要求2所述的放大器，其特征在于，所述第三场效应晶体管为砷化镓基增强型赝配高电子迁移率晶体管。

4.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第二偏置单元包括：第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第九电阻、第十电阻、第八电容及第九电容；

所述第四场效应晶体管，栅极分别与所述第九电阻的第一端、所述第八电容的第一端及所述第五场效应晶体管的漏极连接，漏极分别与第二电源端及所述第九电阻的第二端连接，源极分别与所述第五场效应晶体管的栅极、所述第九电容的第一端及第十电阻的第一端连接；

所述第五场效应晶体管的源极接地；所述第十电阻的第二端与所述放大单元的第二端连接；所述第八电容的第二端及所述第九电容的第二端均接地。

5.如权利要求4所述的放大器，其特征在于，所述第四场效应晶体管及所述第五场效应晶体管均为砷化镓基增强型赝配高电子迁移率晶体管。

6.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一偏置单元包括：第四电阻及第五电阻；

所述第四电阻，第一端与第一电源端连接，第二端分别与所述第五电阻的第一端及所述放大单元的第一端连接；

所述第五电阻的第二端接地。

7.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一反馈单元包括：第二电阻、第三电阻、第五电容及第六电容；

所述第五电容，第一端与所述第二电阻的第一端连接，第二端分别与所述第三电阻的第一端及所述第一反馈单元的第二端连接；

所述第六电容，第一端与所述第三电阻的第二端连接，第二端接地；

所述第二电阻的第二端与所述第一反馈单元的第一端连接。

8.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述放大单元还包括：第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容及第一电阻；

所述第一场效应晶体管，栅极分别与所述放大单元的第一端及所述第二电容的第一端连接，漏极与所述第三电感的第一端连接，源极分别与所述第一电容的第一端、所述第二电感的第一端及所述第三电容的第一端连接；

所述第二场效应晶体管，栅极分别与所述放大单元的第三端及所述第一电阻的第一端连接，漏极分别与所述第二电感的第二端、第二电容的第二端及第四电容的第一端连接，源极通过第一电感接地；

所述第三电感的第二端分别与第二电源端及所述放大单元的第四端连接；所述第三电容的第二端及所述第四电容的第二端均接地；所述第一电容的第二端分别与所述第一电阻的第二端及所述放大单元的第二端连接。

9.如权利要求1至8任一项所述的放大器，其特征在于，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管均为砷化镓基增强型赝配高电子迁移率晶体管。

10.一种射频集成电路，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的放大器。