[发明专利]放大器及射频集成电路

说明书

本发明适用于电子电路技术领域，提供了一种放大器及射频集成电路，其中放大器包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；其中，放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一场效应晶体管与第二场效应晶体管串联连接；第一偏置单元为第一场效应晶体管提供偏置电压，第二偏置单元为第二场效应晶体管提供偏置电压；第一反馈单元为第一场效应晶体管提供反馈电压信号；本发明放大单元采用共源共栅结构，同时通过第一反馈单元引入反馈信号，使得放大器噪声低且在较宽的频带范围内具有较好的增益平坦度，同时满足低噪声、宽频带及高增益的需求。

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一种放大器及射频集成电路。

背景技术

随着第五代移动通信技术的发展，通信系统对射频前端芯片的需求越来越复杂，频带要求越来越宽。放大器作为射频前端芯片中的常见部件，也对其提出了更高的要求。

现有的共源极低噪声放大器噪声系数良好，但频带宽度及信号增益方面存在不足，不能同时满足通信系统对射频前端放大器低噪声、宽频带及高增益的需求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种放大器及射频集成电路，以解决现有技术中放大器不能同时满足低噪声、宽频带及高增益的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种放大器，包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；

其中，放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一场效应晶体管与第二场效应晶体管串联连接；

第一偏置单元与放大单元的第一端连接，用于为第一场效应晶体管提供偏置电压；

第二偏置单元与放大单元的第二端连接，用于为第二场效应晶体管提供偏置电压；

第一反馈单元的第一端与放大单元的第四端连接；第一反馈单元的第二端与放大单元的第一端连接，用于为第一场效应晶体管提供反馈电压信号；

放大单元的第三端输入射频信号，放大单元的第四端输出放大后的射频信号。

可选的，第二偏置单元包括：第三场效应晶体管、第六电阻、第七电阻、第八电阻及第七电容；

第三场效应晶体管，栅极分别与第七电阻的第一端、第七电容的第一端及第八电阻的第一端连接，漏极分别与第七电阻的第二端及第六电阻的第一端连接，源极接地；

第七电容的第二端接地；第八电阻的第二端与放大单元的第二端连接；第六电阻的第二端与第二电源端连接。

可选的，第三场效应晶体管为砷化镓基增强型赝配高电子迁移率晶体管。

可选的，第二偏置单元包括：第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第九电阻、第十电阻、第八电容及第九电容；

第四场效应晶体管，栅极分别与第九电阻的第一端、第八电容的第一端及第五场效应晶体管的漏极连接，漏极分别与第二电源端及第九电阻的第二端连接，源极分别与第五场效应晶体管的栅极、第九电容的第一端及第十电阻的第一端连接；

第五场效应晶体管的源极接地；第十电阻的第二端与放大单元的第二端连接；第八电容的第二端及第九电容的第二端均接地。

可选的，第四场效应晶体管及第五场效应晶体管均为砷化镓基增强型赝配高电子迁移率晶体管。

可选的，第一偏置单元包括：第四电阻及第五电阻；

第四电阻，第一端与第一电源端VCC连接，第二端分别与第五电阻的第一端及放大单元的第一端连接；

第五电阻的第二端接地。

可选的，第一反馈单元包括：第二电阻、第三电阻、第五电容及第六电容；