[发明专利]锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用其形成薄层的方法在审
| 申请号： | 201911395054.1 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111471068A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 柳承旻;金铭云;金润洙;李相益;林载顺;曹仑廷;赵峻希;蔡元默 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;DNF有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/22 | 分类号： | C07F7/22;C23C16/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 用于 形成 含锡层 锡前体 以及 使用 薄层 方法 | ||
提供了锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法，所述锡化合物由式1表示，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。[式1]
相关申请的交叉引用
2019年1月23日提交韩国知识产权局的、发明名称为“锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用其形成薄层的方法”的韩国专利申请10-2019-0008714通过引用以其全文形式并入本文。
技术领域
实施方案涉及锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法。
背景技术
根据电子设备的速度提高和能耗降低，内置于其中的半导体器件可能具有快的运行速度和/或低的工作电压。为了满足这样的性质，半导体器件可以是高度集成的，并且构成半导体器件的图案可以是小型化的。
发明内容
实施方案可以通过提供由式1表示的锡化合物来实现：
[式1]
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。
实施方案可以通过提供用于形成含锡层的锡前体化合物来实现，所述化合物由式1表示：
[式1]
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。
实施方案可以通过提供形成薄层的方法来实现，所述方法包括：供应由式1表示的锡前体化合物；在衬底上供应反应源；和通过使所述锡前体化合物和所述反应源反应在所述衬底上形成含锡层，
[式1]
其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方案，本申请的特征对本领域技术人员将是明显的，在附图中：
图1示出了根据一些示例性实施方案的形成薄层的方法的流程图；
图2和图3分别示出了根据一些示例性实施方案的形成薄层的方法的概念性时序图；
图4A和图4B示出了根据一些示例性实施方案的形成薄层的方法中的各阶段的横截面图；
图5示出了根据一些示例性实施方案的形成薄层的方法的流程图；
图6示出了显示根据一个合成例合成的锡化合物的热重分析(TGA)结果的图；
图7示出了显示根据所述合成例合成的锡化合物的差示扫描量热法(DSC)结果的图；
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