[发明专利]衬底结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201911397667.9 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN112786563A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 吕文隆 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 衬底 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种衬底结构,其包括:

衬底,其包含在所述衬底的第一表面上的第一导体;

第一重布结构,其安置在所述衬底之上;

第一粘性层,其在所述衬底和所述第一重布结构之间;以及

第一连接组件,其与所述第一导体电连接,通过所述第一粘性层穿透到所述第一重布结构中,并将所述衬底电连接到所述第一重布结构。

2.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述第一连接组件包含安置在所述第一导体上的基底部分和以锥形方式从所述基底部分朝向所述第一重布结构延伸的尖端部分。

3.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述第一重布结构包含第一介电层和在所述第一介电层中的第一导电层,所述第一导电层包含第一导体,其中所述第一连接组件物理接触所述第一导电层的所述第一导体并将所述衬底电连接到所述第一导电层。

4.根据权利要求3所述的衬底结构,其中所述第一重布结构包含在所述衬底和所述第一介电层之间的第二介电层,并包含在所述第二介电层中的第二导电层,所述第二导电层包含第二导体,其中所述第一连接组件穿过所述第二导电层的所述第二导体。

5.根据权利要求4所述的衬底结构,其中所述第二导电层的所述第二导体包含围绕所述第一连接组件的凸起部分。

6.根据权利要求5所述的衬底结构,其中所述凸起部分延伸到所述第一介电层中。

7.根据权利要求3所述的衬底结构,其中所述第一导电层的所述第一导体包含第一晶种层和在所述第一晶种层上的第一阻挡层。

8.根据权利要求7所述的衬底结构,其中所述第一导电层的所述第一导体包含第一焊接层,并且所述第一阻挡层安置在所述第一晶种层和所述第一焊接层之间。

9.根据权利要求1所述的衬底结构,其进一步包括在所述衬底的第二表面之下的第二重布结构,所述第二表面与所述第一表面相对,并且所述衬底结构包括在所述衬底和所述第二重布层之间的第二粘性层。

10.根据权利要求9所述的衬底结构,其中所述衬底包含在所述第二表面上的第二导体,所述衬底结构进一步包括第二连接组件,所述第二连接组件与所述第二导体电连接,通过所述第二粘性层穿透到所述第二重布结构中,并将所述衬底电连接到所述第二重布结构。

11.根据权利要求1所述的衬底结构,其中所述第一重布结构包含覆盖在所述第一粘性层中的第一导体,所述衬底结构进一步包括连接在所述第一重布结构的所述第一导体和所述衬底的所述第一导体之间的支柱。

12.根据权利要求11所述的衬底结构,其中所述第一重布结构包含覆盖在所述第一粘性层中的第二导体,所述衬底结构进一步包括电连接在所述第一重布结构的所述第一导体和所述第二导体之间的设备。

13.一种制造衬底结构的方法,所述方法包括:

提供具有第一表面的衬底板;

在所述第一表面上形成第一导体;

在所述第一导体上形成第一连接组件,所述第一连接组件包含尖端部分;

提供第一重布结构;以及

通过将所述尖端部分处的所述第一连接组件推入到所述第一重布结构中来组合所述衬底和所述第一重布结构。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述第一连接组件包含柱形凸点,并且其中在所述第一导体上形成第一连接组件包含:

通过导线结合工艺在所述第一导体上形成柱形凸点。

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