[发明专利]衬底结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201911397667.9 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN112786563A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 吕文隆 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 衬底 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请揭示了一种衬底结构及其制造方法。所述衬底结构包含衬底、第一重布结构、第一粘性层和第一连接组件。所述衬底包含在其第一表面上的第一导体。所述第一重布结构安置在所述衬底之上。所述第一粘性层安置在所述衬底和所述第一重布结构之间。所述第一连接组件与所述第一导体电连接,通过所述第一粘性层穿透到所述第一重布结构中,并将所述衬底电连接到所述第一重布结构。

技术领域

本公开大体上涉及一种衬底结构,且尤其涉及一种包含衬底和重布结构的衬底结构,以及一种制造衬底结构的方法。

背景技术

半导体设备封装可以包含衬底和附接到衬底的重布结构。重布结构包含介电层和在介电层中的一或多个导电层,并可以用于提供扇出目的。衬底包含用于与重布层中的导电层电连接的导电衬垫。与衬底相关联的导电衬垫或迹线在线宽和线间距(L/S)方面大于与重布结构相关联的导电衬垫或迹线。

发明内容

本公开的实施例提供了一种衬底结构,其包含:衬底,其包含在所述衬底的第一表面上的第一导体;第一重布结构,其安置在所述衬底之上;第一粘性层,其在所述衬底和所述第一重布结构之间;以及第一连接组件,其与所述第一导体电连接,通过所述第一粘性层穿透到所述第一重布结构中,并将所述衬底电连接到所述第一重布结构。

本公开的一些实施例提供了一种制造衬底结构的方法。所述方法包含:提供具有第一表面的衬底板;在所述第一表面上形成第一导体;在所述第一导体上形成第一连接组件,其中所述第一连接组件包含尖端部分;提供第一重布结构;以及通过将所述尖端部分处的所述第一连接组件推入到所述第一重布结构中来组合所述衬底和所述第一重布结构。

附图说明

当结合附图阅读时,根据以下具体实施方式最佳地理解本公开的一些实施例的方面。应注意,各种结构可能未按比例绘制,并且出于论述清楚起见,各种结构的尺寸可能被任意地增大或减小。

图1是根据本公开的实施例的衬底结构的横截面图。

图2A和2B是根据本公开的一些实施例的衬底结构的横截面图。

图3是根据本公开的另一实施例的衬底结构的横截面图。

图4是根据本公开的又一实施例的衬底结构的横截面图。

图5A、5B和5C是根据本公开的一些实施例的衬底结构的横截面图。

图6A和6B是根据本公开的一些实施例的衬底结构的横截面图。

图7A和7B是根据本公开的一些实施例的衬底结构的横截面图。

图8A和8B是根据本公开的一些实施例的衬底结构的横截面图。

图9A至图9I示出根据本公开的实施例的制造如图1所示的衬底的方法的一或多个阶段。

图9J示出根据本公开的实施例的形成如图1所示的连接组件的方法的一或多个阶段。

图10A至图10I示出根据本公开的另一实施例的形成连接组件的方法的一或多个阶段。

图11A至图11K示出根据本公开的实施例的制造如图1所示的重布结构的方法的一或多个阶段。

图12A至图12C示出根据本公开的实施例的制造如图1所示的衬底结构的方法的一或多个阶段。

图13示出根据本公开的实施例的载体的示意性透视图。

图14示出根据本公开的另一实施例的载体的示意性透视图。

具体实施方式

在整个附图和具体实施方式中使用共同的附图标记来表示相同或相似的组件。根据结合附图的具体实施方式将容易理解本公开的实施例。

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