[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有：

多条字线，沿着第1方向；多条位线，沿着不同于所述第1方向的第2方向，且具有朝着与所述第1、第2方向都不同的第3方向的第1面、朝着与所述第2、第3方向都不同的第4方向的第2面、及配置在所述第2面的相反侧的第3面；以及多个第1半导体晶体管，包括连接于所述多条字线中的任一条字线的栅极、及连接于所述多条位线中的任一条位线的所述第1面、和所述第2或第3面的沟道。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个第1半导体晶体管的沟道沿着所述多条位线中的任一条位线交替地连接于所述第2面、第3面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

所述多个第1半导体晶体管的沟道沿着所述多条字线中的任一条字线连接于所述第2面、第3面中的一个面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述多条字线具有连接于所述多个第1半导体晶体管的栅极的第1部位、及不连接于所述栅极且宽度比所述第1部位窄的第2部位。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体存储装置，其中

还具有：多条第2字线，隔着所述多条位线而与所述多条字线相向配置；以及多个第2半导体晶体管，包括连接于所述多条第2字线中的任一条字线的栅极、及连接于所述多条位线中的任一条位线的与所述第1面为相反侧的第4面、和所述第2或第3面的沟道。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述多个第1半导体晶体管中的一个半导体晶体管及所述多个第2半导体晶体管中的一个半导体晶体管各自的沟道连接于所述第2、第3面中的一个面。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述多个第1半导体晶体管中的一个半导体晶体管的沟道连接于所述第2、第3面中的一个面，所述多个第2半导体晶体管中的一个半导体晶体管的沟道连接于所述第2、第3面中的另一个面。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述沟道包含氧化物半导体，所述半导体存储装置还具有配置在所述位线与所述沟道之间且不同于所述氧化物半导体的氧化物层。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述氧化物半导体含有铟-镓-锌-氧化物，所述氧化物层含有铟-镓-硅-氧化物、镓氧化物、铝氧化物、及铪氧化物中的一种物质。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体存储装置，其中

还具有分别连接于所述多个第1半导体晶体管的沟道的多个电容器。