[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备存储器芯片，

所述存储器芯片包含：

第1区域，包含多个存储胞；

第2区域，与所述第1区域不同；

多条第1字线，在所述第1区域及所述第2区域中，在第1方向上相互分离地积层；

第1柱，在所述第1区域包含贯通所述多条第1字线设置的第1半导体层及设置在所述第1半导体层与所述多条第1字线之间的第1绝缘体层，且所述多条第1字线与所述第1半导体层的交叉部分分别作为存储胞发挥功能；

第1接合金属，设置在所述第2区域；及

第1晶体管，在所述第2区域，设置在所述多条第1字线与所述第1接合金属之间的第1层，且连接在1条第1字线与所述第1接合金属之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述存储器芯片还包含：

多条第2字线，在所述第1区域及所述第2区域，与所述多条第1字线分离地设置，且在所述第1方向上相互分离地积层；

第2柱，在所述第1区域包含贯通所述多条第2字线设置的第2半导体层及设置在所述第2半导体层与所述多条第2字线之间的第2绝缘体层，且所述多条第2字线与所述第2半导体层的交叉部分分别作为存储胞发挥功能；及

第2晶体管，在所述第2区域设置在所述第1层，连接在1条第2字线与所述第1接合金属之间，且栅极电极与所述第1晶体管分离。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述存储器芯片还包含在所述第2区域电连接于所述第1晶体管的栅极的第2接合金属及电连接于所述第2晶体管的栅极的第3接合金属。

4.一种半导体存储装置，具备存储器芯片，

所述存储器芯片包含：

多条第1字线，在第1方向上相互分离地积层；

第1柱，包含贯通所述多条第1字线设置的第1半导体层及设置在所述第1半导体层与所述多条第1字线之间的第1绝缘体层，且所述多条第1字线与所述第1半导体层的交叉部分分别作为存储胞发挥功能；

第1位线，与所述第1半导体层电连接；

第1晶体管，与所述第1位线电连接；及

第1接合金属，经由所述第1晶体管与所述第1位线电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

所述存储器芯片还包含：

第2柱，包含贯通所述多条第1字线设置的第2半导体层及设置在所述第2半导体层与所述多条第1字线之间的第2绝缘体层，且所述多条第2字线与所述第2半导体层的交叉部分分别作为存储胞发挥功能；

第2位线，与所述第2半导体层电连接；

第2晶体管，与所述第2位线电连接，且栅极与所述第1晶体管的栅极电连接；及

第2接合金属，经由所述第2晶体管与所述第2位线电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述存储器芯片还包含第3接合金属，所述第3接合金属电连接于所述第1晶体管的所述栅极及所述第2晶体管的所述栅极。

7.一种半导体存储装置，具备存储器芯片，

所述存储器芯片包含：

多条第1字线，在第1方向上相互分离地积层；

第1柱，包含贯通所述多条第1字线设置的第1半导体层及设置在所述第1半导体层与所述多条第1字线之间的第1绝缘体层，且所述多条第1字线与所述第1半导体层的交叉部分分别作为存储胞发挥功能；

第1位线，与所述第1半导体层电连接；

第1晶体管，与所述第1位线电连接；

第1接合金属，经由所述第1晶体管与所述第1位线电连接；及

泵电路，能够经由所述第1晶体管对所述位线施加高电压。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中

所述存储器芯片还包含：

多个第2晶体管，分别连接在所述多条第1字线；

信号线，经由所述多个第2晶体管与所述多条第1字线连接；

第3晶体管，连接在所述信号线；及

第4晶体管，连接在所述第1晶体管与所述第3晶体管之间。