[发明专利]金属层布局结构及功率器件在审

专利信息
申请号: 201911398678.9 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111128958A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 李海波;杨善圣;杨荣 申请(专利权)人: 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 周仁青
地址: 215123 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 金属 布局 结构 功率 器件
【权利要求书】:

1.一种金属层布局结构,其特征在于,所述金属层布局结构包括全部或部分层叠设置的第一金属层及第二金属层,第一金属层包括第一连接区,第二金属层包括第二连接区,第一连接区和第二连接区层叠设置,且第一连接区和第二连接区之间设有绝缘层,所述绝缘层上设有若干穿孔,所述穿孔内设有电性连接第一金属层和第二金属层的导电件,所述穿孔及导电件的分布密度沿电流传输方向全部或部分逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的金属层布局结构,其特征在于,所述第一金属层上设有若干第一电极布线层,第二金属层上设有若干第二电极布线层,所述导电件用于电性连接对应的第一电极布线层和第二电极布线层。

3.根据权利要求2所述的金属层布局结构,其特征在于,所述第一电极布线层包括第一源极布线层及第一漏极布线层,第二电极布线层包括第二源极布线层和第二漏极布线层,所述导电件用于电性连接第一源极布线层与第二源极布线层和/或第一漏极布线层与第二漏极布线层。

4.根据权利要求3所述的金属层布局结构,其特征在于,所述第一源极布线层和第一漏极布线层之间设有第一多晶硅层,和/或,第二源极布线层和第二漏极布线层之间设有第二多晶硅层。

5.根据权利要求1所述的金属层布局结构,其特征在于,所述穿孔及导电件的分布密度沿电流传输方向先逐渐增大,再保持不变。

6.根据权利要求1所述的金属层布局结构,其特征在于,所述穿孔及导电件个数沿电流传输方向全部或部分逐渐增加。

7.根据权利要求6所述的金属层布局结构,其特征在于,所述穿孔及导电件个数沿电流传输方向先逐渐增加,再保持不变。

8.一种功率器件,其特征在于,所述功率器件包括权利要求1~7中任一项所述的金属层布局结构。

9.根据权利要求8所述的功率器件,其特征在于,所述第一金属层和/或第二金属层上设有若干焊垫。

10.根据权利要求8所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件还包括与第一金属层和或第二金属层电性连接的第三金属层。

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