[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一导电型半导体层；

活性层，布置在所述第一导电型半导体层上；

第二导电型半导体层，布置在所述活性层上；

第一凸块焊盘，与所述第一导电型半导体层电接通；

第二凸块焊盘，与所述第二导电型半导体层电接通；

第一焊锡凸块，布置在所述第一凸块焊盘上；以及

第二焊锡凸块，布置在所述第二凸块焊盘上，

所述第一焊锡凸块以及所述第二焊锡凸块分别具有所述第一凸块焊盘以及所述第二凸块焊盘的厚度的10倍至80倍范围内的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述第一焊锡凸块以及所述第二焊锡凸块具有倾斜的侧面，倾斜的所述侧面的倾斜角相对于底面在65度至75度范围内。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述第一焊锡凸块和所述第二焊锡凸块之间的间隔是所述第一焊锡凸块或者所述第二焊锡凸块的厚度的2倍以上且10倍以下。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括布置在所述第一导电型半导体层之下的基板，

所述第一焊锡凸块或者所述第二焊锡凸块和所述基板之间的水平方向最短距离相同或大于所述第一焊锡凸块和所述第二焊锡凸块的厚度。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括布置在所述第二导电型半导体层上的上绝缘层，

所述上绝缘层具有用于允许电接通的开口部，

所述第一凸块焊盘以及所述第二凸块焊盘布置在所述上绝缘层上，并通过所述开口部与第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层电接通。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述第一焊锡凸块以及所述第二焊锡凸块分别覆盖所述第一凸块焊盘以及所述第二凸块焊盘的整个顶面。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘之间的间隔是所述第一焊锡凸块或者所述第二焊锡凸块的厚度的2倍以上且10倍以下。

8.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括布置在所述第一导电型半导体层之下的基板，

所述第一凸块焊盘或者所述第二凸块焊盘和所述基板的边缘之间的水平方向最短距离相同或大于所述第一焊锡凸块和所述第二焊锡凸块的厚度。

9.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括：

透明的导电性氧化物层，与所述第二导电型半导体层电接通；

介电层，覆盖所述导电性氧化物层，并具有使得所述导电性氧化物层暴露的多个开口部；

金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电性氧化物层接通；

下绝缘层，布置在所述金属反射层上，并包括使得所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使得所述金属反射层暴露的第二开口部；

第一焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并通过所述下绝缘层的第一开口部与所述第一导电型半导体层电接通；以及

第二焊盘金属层，布置在所述下绝缘层上，并通过所述下绝缘层的第二开口部与所述第二导电型半导体层电接通，

所述上绝缘层的开口部使得所述第一焊盘金属层以及所述第二焊盘金属层暴露。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述发光二极管还包括：

基板；以及

多个发光单元，布置在所述基板上，

所述发光单元分别包括所述第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，

所述第一凸块焊盘与所述多个发光单元中的一个发光单元的第一导电型半导体层电接通，

所述第二凸块焊盘与所述多个发光单元中的另一个发光单元的第二导电型半导体层电接通。