[发明专利]发光二极管在审
申请号: | 201911399687.X | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111509115A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 金在权;许暋赞;金京完;金钟奎;金贤儿;李俊燮 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/46 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
一种发光二极管,其包括:第一导电型半导体层;活性层,布置在所述第一导电型半导体层上;第二导电型半导体层,布置在所述活性层上;第一凸块焊盘,与所述第一导电型半导体层电接通;第二凸块焊盘,与所述第二导电型半导体层电接通;第一焊锡凸块,布置在所述第一凸块焊盘上;以及第二焊锡凸块,布置在所述第二凸块焊盘上,所述第一焊锡凸块以及所述第二焊锡凸块分别具有所述第一凸块焊盘以及所述第二凸块焊盘的厚度的10倍至80倍范围内的厚度。
本申请是申请日为2019年12月26日、申请号为201911369944.5、发明名称为“发光二极管”的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管。
背景技术
通常,氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等之类Ⅲ族元素的氮化物热稳定性优异,并具有直接跃迁型能带(band)结构,因此最近作为可见光以及紫外线区段的光源用物质备受瞩目。尤其,利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色以及绿色发光二极管应用于大规模天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统和光通信等各种应用领域。
另一方面,分布布拉格反射器是通过层叠折射率彼此不同的绝缘层而在特定波段中具有高反射率的反射器。分布布拉格反射器在发光二极管中反射光而减少光损失,由此,提高发光二极管的光效率。
形成在如基板那样平坦的面上的分布布拉格反射器能够形成均匀的层,反射器的可靠性高。与此相反,当在如台面那样具有侧面的结构物上形成分布布拉格反射器时,分布布拉格反射器内可能形成大量微小裂纹或者针孔,由此,水分渗透会降低可靠性。
尤其,层叠的层数越增加,分布布拉格反射器的反射率越增加,因此需要大量的层叠数。另外,为了使得在可视区域的宽波段中具有高反射率,进一步增加分布布拉格反射器的厚度。分布布拉格反射器的厚度增加进一步降低发光二极管的可靠性,使发光二极管制造工艺变难。
另一方面,发光二极管以各种芯片形状提供,发光二极管芯片安装在封装件、基底或者印刷电路板等的安装面。例如,倒装芯片形式的发光二极管包括凸块焊盘,凸块焊盘通过焊锡膏安装在印刷电路板等的接通焊盘上。
以往技术的安装工艺通常将焊锡膏涂布在接通焊盘上,将发光二极管芯片的凸块焊盘放置在焊锡膏上之后,通过回流工艺来执行,由此,凸块焊盘通过焊锡焊接到接通焊盘。
但是,为了焊接发光二极管芯片,需要在接通焊盘上涂布相当量的焊锡膏。为此,还需要在一个接通焊盘上涂布多次焊锡膏。因此,涂布在接通焊盘上的焊锡膏的量越增加,发光二极管芯片的安装工艺越变复杂,发生工艺不良的可能性也会增大。
另一方面,形成在发光二极管芯片上的凸块焊盘通常具有相对薄的厚度,因此无助于操纵发光二极管芯片。由此,难以形成用于提高发光二极管芯片亮度的白墙(whitewall)。另外,由于难以操纵相对小尺寸的发光二极管芯片,难以进行利用焊锡膏的安装工艺。
发明内容
本发明所要解决的课题在于提供一种采用能够保持相对高的反射率且能够减小厚度的分布布拉格反射器的发光二极管。
本发明所要解决的另一课题在于提供一种在高湿环境下具有高可靠性的发光二极管。
本发明所要解决的另一课题在于提供一种能够容易执行利用焊锡的焊接工艺的发光二极管芯片。
本发明所要解决的另一课题在于提供一种易于操纵的发光二极管芯片。
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