[发明专利]背面金属图案化管芯切单系统及相关方法在审

专利信息
申请号: 201911401157.4 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111490009A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: M·J·塞登 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 背面 金属 图案 管芯 系统 相关 方法
【权利要求书】:

1.一种切单衬底中包括的多个管芯的方法,所述方法包括:

在衬底的第一侧上形成多个管芯;

在所述衬底的第二侧上形成背面金属层;

在所述背面金属层上方施加光刻胶层;

沿所述衬底的管芯划道将所述光刻胶层图案化;

蚀刻穿过位于所述衬底的所述管芯划道中的所述背面金属层,其中通过所述蚀刻来暴露所述衬底;以及

通过移除所述管芯划道中的衬底材料来切单所述衬底中包括的所述多个管芯。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:将所述衬底的所述第二侧减薄,其中将所述衬底减薄到小于30微米厚或小于50微米厚中的一种。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述背面金属层为10微米厚。

4.根据权利要求1所述的方法,还包括:通过等离子体蚀刻切单所述衬底中包括的所述多个管芯,以及还包括:移除所述衬底的所述衬底材料中的宽度小于所述管芯划道的宽度的部分。

5.一种切单衬底中包括的多个管芯的方法,所述方法包括:

在衬底的第一侧上形成多个管芯;

在与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧上形成晶种层;

在所述晶种层上方施加光刻胶层;

将所述光刻胶层图案化;

在所述晶种层上方形成背面金属层;

移除所述光刻胶层;以及

通过移除管芯划道中的衬底材料并通过移除所述管芯划道中的晶种层材料来切单所述衬底中包括的所述多个管芯。

6.根据权利要求5所述的方法,还包括:将所述衬底的所述第二侧减薄到小于30微米的厚度。

7.根据权利要求5所述的方法,还包括:从所述衬底的背面对准所述衬底。

8.一种切单衬底中包括的多个管芯的方法,所述方法包括:

在衬底的第一侧上形成多个管芯;

在与所述衬底的所述第一侧相对的衬底的第二侧上形成晶种层;

在所述晶种层上方施加光刻胶层;

将所述光刻胶层图案化;

在所述晶种层上方形成背面金属层;

移除所述光刻胶层;

使用激光束和锯条中的一种通过移除管芯划道中的衬底材料并通过移除所述管芯划道中的晶种层材料来切单所述衬底中包括的所述多个管芯。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述背面金属层为10微米厚。

10.根据权利要求8所述的方法,还包括:将所述衬底的所述第二侧减薄,其中将所述衬底减薄到小于50微米厚。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911401157.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top