[发明专利]背面金属图案化管芯切单系统及相关方法

说明书

本发明涉及背面金属图案化管芯切单系统及相关方法。本公开提供了切单衬底中包括的多个管芯的方法的实施方式，其可以包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯；在衬底的第二侧上形成背面金属层；在所述背面金属层上方施加光刻胶层；沿所述衬底的管芯划道将所述光刻胶层图案化；以及蚀刻穿过位于所述衬底的所述管芯划道中的所述背面金属层。可以通过所述蚀刻来暴露所述衬底。所述方法还可以包括通过移除所述管芯划道中的衬底材料来切单所述衬底中包括的多个管芯。

相关申请的交叉引用

本申请要求授予Seddon的名称为“BACKSIDE METAL PATTERNING DIESINGULATION SYSTEM AND RELATED METHODS(背面金属图案化管芯切单系统及相关方法)”的美国临时专利申请62/796,659的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本文件的各方面整体涉及管芯切单系统和方法。更具体的实施方式涉及从减薄衬底切单半导体管芯的方法。

背景技术

半导体器件包括常见电气和电子设备(诸如电话、台式计算机、平板计算机、其他计算设备和其他电子设备)中出现的集成电路。该器件通过将半导体材料的晶圆切单为多个半导体管芯而分离。可以将各种层耦接到晶圆的正面和/或背面。在切单时，管芯可以安装在封装上并与该封装电气地集成，该封装然后可供用在电气或电子设备中。

发明内容

切单衬底中包括的多个管芯的方法的实施方式可以包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯；在衬底的第二侧上形成背面金属层；在背面金属层上方施加光刻胶层；沿衬底的管芯划道将光刻胶层图案化；以及蚀刻穿过位于衬底的管芯划道中的背面金属层。可以通过蚀刻来暴露衬底。该方法还可以包括通过移除管芯划道中的衬底材料来切单衬底中包括的多个管芯。

切单衬底中包括的多个管芯的方法的实施方式可以包括以下中的一种、全部或任一种：

该方法可以包括使衬底的第二侧减薄，并且可以将衬底减薄到小于50微米厚。

该方法可以包括使衬底的第二侧减薄，并且可以将衬底减薄到小于30微米厚。

背面金属层可以是10微米厚。

将光刻胶层图案化可以包括将光刻胶层曝光并将光刻胶层显影。

移除管芯划道中的衬底材料可以包括使用激光束或锯条。

该方法可以包括在切单管芯之后，远程等离子体修复多个管芯的多个侧壁。

移除管芯划道中的衬底材料可以包括等离子体蚀刻。

通过等离子体蚀刻切单衬底中包括的多个管芯可以包括移除衬底的衬底材料的具有小于管芯划道的宽度的宽度的部分。

切单衬底中包括的多个管芯的方法的实施方式可以包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯；在与衬底的第一侧相对的衬底的第二侧上形成晶种层；在晶种层上方施加光刻胶层；将光刻胶层图案化；在晶种层上方形成背面金属层；移除光刻胶层；以及通过移除管芯划道中的衬底材料并通过移除管芯划道中的晶种层材料来切单衬底中包括的多个管芯。

切单衬底中包括的多个管芯的方法的实施方式可以包括以下中的一种、全部或任一种：

晶种层可以包含钛。

背面金属层可以包含铜。

移除管芯划道中的衬底材料可以包括等离子体蚀刻。

移除管芯划道中的衬底材料和移除管芯划道中的晶种层材料可以包括使用激光束或锯条。

该方法可以包括将衬底的第二侧减薄到小于30微米的厚度。