[发明专利]一种适用于集成电路的回流焊清洗方法

权利要求书

1.一种适用于集成电路的回流焊清洗方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

（1）分类：

将集成电路中混合电路和模块需焊膏回流焊的芯片、电子元器件和陶瓷基板，分为两批回流焊；其中表面脆弱，不耐腐蚀的芯片分为第一部分，而耐腐蚀、不易划伤电子元器件和陶瓷基板分为第二部分；

（2）对第二部分进行清洗：

将电子元器件和陶瓷基板这一部分回流焊焊接于封装腔体中，然后将封装腔体置于盛有清洗剂的容器中进行超声清洗；清洗完成后又置于盛有酒精的容器中进行超声清洗；然后将封装腔体置于去离子水下进行防静电布冲洗擦拭；清洗干净后置于80℃的烘箱中烘干备用；

（3）第二部分的封装：

将上述已经完成电子元器件和基板焊接烘干备用的集成电路封装腔体进行芯片回流焊于腔体内；

（4）对第一部分进行清洗：

将完成芯片回流焊的封装腔体置于盛有清洗剂的容器中进行超声清洗，洗去松香和多余物；清洗完成后又置于盛有酒精的容器中进行超声清洗；然后将封装腔体置于去离子水下进行防静电布冲洗擦拭；清洗干净后置于80℃的烘箱中烘干，备用；

（5）第一部分封装之后，两部分的清洗完成；

所述第（2）步中，所述清洗剂是一种多组分共氟溶剂，其型号为MC-210；所述酒精为无水乙醇；所述去离子水电导率为1-1.5μS/cm；所述第二部分清洗过程中的工艺条件为：清洗机超声频率为60-70kHZ、温度控制为35℃、清洗时间为5min；

所述第（4）步中，所述清洗剂是一种多组分共氟溶剂，其型号为MC-210；所述酒精为无水乙醇；所述去离子水电导率为1-1.5μS/cm；所述第一部分清洗过程中的工艺条件为：清洗机超声频率为30-40kHZ、温度控制为50℃、清洗时间为5min。