[发明专利]可调NAND写入性能

权利要求书

1.一种用于可调NAND写入性能的存储器设备，所述存储器设备包括：

接口，用于从所述存储器设备的控制器接收加速写入请求；和

处理电路系统，用于：

识别用于外部写入的目标块作为多级单元块被打开；和

使用单级单元编码将所述加速写入请求的数据写入所述目标块。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中只有所述目标块打开用于外部写入。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述单级单元编码具有基于所述目标块的多级单元编码类型的电荷分布的电荷分布。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述多级单元编码的类型是三级单元TLC编码或更高。

5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述单级单元编码具有由所述多级单元编码类型的未修改读取电压修整区分的较高页和较低页的电荷分布。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述未修改读取电压是较低页读取电压或额外页读取电压中的至少一个。

7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述存储器设备被配置为不出于读取电压的目的而跟踪写入所述目标块的元素是采用所述单级单元编码还是所述多级单元编码。

8.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述单级单元编码具有由单级单元类型单元编码的读取电压修整区分的较高页和较低页的电荷分布，所述单级单元类型单元编码的读取电压修整不同于所述多级单元编码类型的任何读取电压修整。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述处理电路系统被配置为在将用于所述加速写入请求的所述数据写入到所述目标块的用所述单级单元编码进行编码的第二元素之前，填充所述目标块的用所述多级单元编码进行编码的第一元素。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述第一元素和所述第二元素是所述目标块中的页。

11.一种用于可调NAND写入性能的方法，所述方法包括：

在存储器设备处从所述存储器设备的控制器接收加速写入请求；

在所述存储器设备处识别用于外部写入的目标块作为多级单元块被打开；以及

由所述存储器设备使用单级单元编码将用于所述加速写入请求的数据写入所述目标块。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述目标块被单独用于外部写入。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述单级单元编码使用基于所述目标块的多级单元编码类型的电荷分布的电荷分布。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述多级单元编码的类型是三级单元TLC编码或更高。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述单级单元编码使用由所述多级单元编码类型的未修改读取电压修整区分的较高页和较低页的电荷分布。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述未修改读取电压是较低页读取电压或额外页读取电压中的至少一个。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述存储器设备不出于读取电压的目的而跟踪写入所述目标块的元素是采用所述单级编码还是所述多级单元编码。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述单级单元编码使用由单级单元类型单元编码的读取电压修整区分的较高页和较低页的电荷分布，所述单级单元类型单元编码的读取电压修整不同于所述多级单元编码类型的任何读取电压修整。