[发明专利]一种贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201911406846.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128556A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴一萍;罗晶;姚静静;李琪 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;B01J23/66 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 曹莉 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 贵金属 掺杂 半导体 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其步骤包括：
(1)将平面导电材料清洗、烘干；
(2)在非离子型高分子化合物中加入无水乙醇，搅拌，溶液中通氧10-20分钟；
(3)、在步骤(2)中的溶液中加入金属氯化物，搅拌溶解；加入贵金属化合物溶液和非离子型表面活性剂，搅拌并缓慢加入碱性溶剂和水，形成溶胶；
(4)、将步骤(3)中的溶胶滴在步骤(1)中的平面导电材料上，旋涂，使其表面覆盖；
(5)、将步骤(4)中的平面导电材料300-600℃煅烧1-3小时，冷却、水洗、吹干即可。
2.根据权利要求1所述的贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的平面导电材料为氧化铟锡玻璃电极。
3.根据权利要求1所述的贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的非离子型高分子化合物为聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇或甲基纤维素中任一种。
4.根据权利要求1所述的贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的金属氯化物、贵金属化合物和非离子型表面活性剂的加入量配比为1g：0.3-0.5mL：0.1-0.3mL；所述贵金属化合物的质量浓度为0.5-1.5％。
5.根据权利要求1或4所述的贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中金属氯化物为氯化亚锡、氯化锰、氯化亚铜或二氯化钛中的任一种。
6.根据权利要求1或4所述的贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中贵金属化合物为氯金酸、氯铂酸或氯钯酸中的任一种。
7.根据权利要求1所述的贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，溶胶的旋涂比为3-10uL/cm2。
8.根据权利要求1所述的贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，平面导电材料450℃煅烧2小时，冷却至室温、摇床去离子水洗2-4分钟、氮气吹干。
9.一种贵金属掺杂的半导体复合材料，其特征在于通过权利要求1-8中任一项方法制备获得。
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