[发明专利]一种紫外LED封装结构

权利要求书

1.一种紫外LED封装结构，包括倒装结构的紫外LED芯片、具有至少两基板电极的封装基板和将紫外LED芯片覆盖的封装胶材，所述紫外LED芯片的正负芯片电极分别与两基板电极导通，且在正负芯片电极以及两基板电极之间具有绝缘间隙，其特征在于：所述绝缘间隙内填充有遮蔽物，该遮蔽物为含有部分结晶物的氟树脂材料，所述氟树脂材料的结晶度为40％～100％。

2.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述氟树脂材料为含氟的共聚物。

3.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述氟树脂材料为含氟碳的共聚物。

4.根据权利要求2所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述氟树脂材料为EFEP、FEP、PFA、ETFE、PCTFE、PVF和PTFE的其一或者其组合。

5.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述封装胶材为与遮蔽物材料组份相同的氟树脂材料。

6.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述封装胶材为氟树脂材料，其结晶度为50％以下。

7.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述封装胶材等厚地沿芯片表面和封装基板表面将紫外LED芯片完全包覆。

8.根据权利要求7所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述封装胶材的厚度为50～400μm。

9.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述封装基板与所述封装胶材接触的位置上具有图案化结构。

10.根据权利要求9所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述图案化结构为金属层。

11.根据权利要求1所述的紫外LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片的发光波长为200～340nm。