[发明专利]一种紫外LED封装结构

说明书

本发明涉及一种紫外LED封装结构，包括倒装结构的紫外LED芯片、具有至少两基板电极的封装基板和将紫外LED芯片覆盖的封装胶材，所述紫外LED芯片的正负芯片电极分别与两基板电极导通，且在正负芯片电极以及两基板电极之间具有绝缘间隙，所述绝缘间隙内填充有遮蔽物，该遮蔽物为含有部分结晶物的氟树脂材料，以解决现有紫外LED封装结构可靠性较差的问题。

技术领域

本发明涉及LED封装领域，具体是涉及一种紫外LED封装结构。

背景技术

现有紫外LED的封装大多数采用倒装LED芯片，常见封装结构为高紫外透射率的玻璃封装，或者耐紫外辐照的树脂材料封装。玻璃封装(如图1所示)是通过锡膏或者共晶焊的方式将倒装结构的紫外LED芯片10’固晶在封装基板20’的碗杯内，并使紫外LED芯片10’的芯片电极100’和碗杯内的基板电极200’键合固定，然后在碗杯的开口处固定一石英玻璃板30’，以使碗杯内形成密闭的腔室。

树脂材料封装(如图2所示)是通过锡膏或者共晶焊的方式将紫外LED芯片10’固晶在封装基板20’上，并使紫外LED芯片10’的芯片电极100’和碗杯内的基板电极200’键合固定，然后通过真空压模等方式将树脂材料40’覆盖于紫外LED芯片10’上，并使两者紧密贴合。

在玻璃封装中，由于石英玻璃板30’与紫外LED芯片10’之间存在空气间隙，且石英玻璃板30’、空气间隙与紫外LED芯片10’之间存在折射率差而造成光损失。相比而言，树脂材料的封装形式通过真空压模等方式将树脂材料与LED芯片紧密贴合，有效提高了光提取效率，进而能够有效提升亮度水平。但是这种采用树脂材料密封的封装结构，紫外LED芯片10’的芯片电极100’与基板电极200’键合后，正、负电极之间的阻焊区域存在绝缘间隙50’，由于封装体密封性的限制，这种树脂材料封装在高温高湿环境下有以下风险：

1、湿气易贮存在电极间的绝缘间隙内，在紫外LED芯片通电后，芯片电极的金属材料容易与水汽发生电化学反应，造成金属迁移，从而造成芯片内部结构层破坏，产生漏电流，既会造成紫外LED芯片亮度损失，也会造成其可靠性下降，甚至发生短路死灯等现象。

2、基板电极与芯片电极之间通过焊料接合，焊料中含有锡等比金或铂更容易迁移的金属，焊料中的金属原子在紫外线照射下更易发生迁移，容易导致短路。

3、此外，正、负电极的绝缘间隙之间的树脂组成物(如环氧系树脂、硅树脂、助焊剂等)被高能量紫外线照射时会发生碳化，发光元件有因碳化而造成短路的可能。

发明内容

本发明旨在提供一种紫外LED封装结构，以解决现有紫外LED封装结构可靠性较差的问题。

具体方案如下：

一种紫外LED封装结构，包括倒装结构的紫外LED芯片、具有至少两基板电极的封装基板和将紫外LED芯片覆盖的封装胶材，所述紫外LED芯片的正负芯片电极分别与两基板电极导通，且在正负芯片电极以及两基板电极之间具有绝缘间隙，所述绝缘间隙内填充有遮蔽物，该遮蔽物为含有部分结晶物的氟树脂材料。

在一些实施例中，所述氟树脂材料为含氟或氟碳的共聚物。

在一些实施例中，所述氟树脂材料为EFEP、FEP、PFA、ETFE、PCTFE、PVF和PTFE的其一或者其组合。

在一些实施例中，所述氟树脂材料的结晶度不低于10％。

在一些实施例中，所述氟树脂材料的结晶度为40％～100％。

在一些实施例中，所述封装胶材为与遮蔽物材料组份相同的氟树脂材料。

在一些实施例中，所述封装胶材为氟树脂材料，其结晶度为50％以下。

在一些实施例中，所述封装胶材大致等厚地沿芯片表面和封装基板表面将紫外LED芯片完全包覆。