[发明专利]金属有机物化学气相沉积反应器有效

专利信息
申请号: 201911411224.0 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113122823B 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 王文;胡建正;郭泉泳;郭世平 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/30;H01L33/32
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 包姝晴;张静洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 金属 有机物 化学 沉积 反应器
【说明书】:

一种金属有机物化学气相沉积反应器,包括:反应腔,顶部包括气体喷淋头,气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口;前驱物输送管道组,与多种前驱物源连接;前驱物汇合输入管道,与前驱物输送管道组连通,用于汇合多种前驱物,连通第一输入端口;镁前驱物输入管道,与镁前驱物源连接,且连通第二输入端口;氮前驱物输送管道,与氮前驱物源连接,且连通气体喷淋头的第三输入端口。利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低反应器的复杂度,且提高发光二极管的发光强度。

技术领域

发明涉及半导体领域,尤其涉及一种金属有机物化学气相沉积反应器。

背景技术

目前LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种固体照明,体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、环保、坚固耐用等优点受到广大消费者认可,国内外生产LED的规模不断地扩大。

近年来,半导体材料氮化镓(GaN)被广泛应用于发光二极管,而氮化镓(GaN)在金属有机化学气相沉积反应器(金属有机化学气相沉积反应器) 内进行。通常在氮化镓(GaN)内掺杂镁离子作为发光二极管的正极,然而,现有的金属有机物化学气相沉积反应器通常使镁源与镓源汇合后通入反应腔内,使得镁源易残留在汇合后的管道内,那么,残留的镁源对后续外延结构层造成影响,使得二极管的发光强度降低。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种金属有机物化学气相沉积反应器,以降低镁离子对后续涂层的影响,提高发光强度。

为解决上述技术问题,本发明提供一种金属有机物化学气相沉积反应器,包括:反应腔,其顶部包括气体喷淋头,所述气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口;前驱物输送管道组,与多种前驱物源连接;前驱物汇合输入管道,与前驱物输送管道组连通,用于汇合多种前驱物,连通所述气体喷淋头的第一输入端口;镁前驱物输入管道,与镁前驱物源连接,且连通所述气体喷淋头的第二输入端口;氮前驱物输送管道,与氮前驱物源连接,且连通所述气体喷淋头的第三输入端口。

可选的,所述气体喷淋头包括第一扩散空间、与第一扩散空间连接的第一输送管道、第二扩散空间以及与第二扩散空间连通的第二输送管道,所述第一扩散空间具有第一输入端口和第二输入端口,所述第二扩散空间具有第三输入端口。

可选的,所述前驱物输送管道组与前驱物汇合输入管道之间还设置有第一注入阀导,所述第一注入阀导包括第一通道和第二通道,第一通道和第二通道均与前驱物输送管道组连通,当第二通道开启时,第二通道与前驱物汇合管道连通。

可选的,还包括:镁前驱物传输管道、以及位于所述镁前驱物传输管道与镁前驱物输入管道之间的第二注入阀导,所述第二注入阀导包括第三通道和第四通道,第三通道和第四通道均与镁前驱物传输管道连通,当第四通道开启时,第四通道与镁前驱物输入管道连通。

可选的,所述前驱物输送管道组包括镓前驱物输送管道、铟前驱物输送管道和硅前驱物输送管道,所述多种前驱物源包括镓前驱物源、铟前驱物源和硅前驱物源,所述镓前驱物输送管道与镓前驱物源连接,所述铟前驱物输送管道与铟前驱物源连接,所述硅前驱物输送管道与硅前驱物源连接。

可选的,还包括:与第一注入阀导连接的第一排尾气管道,当第一通道开启时,使第一通道与第一排尾气管道连通,用于排出多种前驱物源。

可选的,还包括:与第二注入阀导连接的第二排尾气管道,当第三通道开启时,使所述第三通道与第二排尾气管道连通,用于排出镁前驱物源。

与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:

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