[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201911413164.6 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130783B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 夏思雨;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管,包括:
阳极;
阴极;
设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层;
设置在所述阴极和所述发光层之间的过渡层,所述过渡层包括贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料,所述金属有机框架材料具有孔道结构,所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中;其中,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10) : (90-99)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述金属有机框架材料包括锌基金属有机框架材料、铜基金属有机框架材料和钴基金属有机框架材料中的至少一种;和/或
所述贵金属纳米颗粒选自金纳米颗粒、银纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒的粒径为30-50纳米;和/或
所述过渡层的厚度为80-100纳米;和/或
所述阴极的厚度为50-100纳米。
4.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述阳极和所述发光层之间还设置有空穴注入层和/或空穴传输层;
所述空穴注入层的厚度为20-50纳米;
所述空穴传输层的厚度为30-50纳米。
5.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述发光层的发射波长为400-450nm。
6.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下制备过渡层的步骤:
提供过渡层材料,所述过渡层材料包括贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料,所述金属有机框架材料具有孔道结构,所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中;其中,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10) : (90-99);
将所述过渡层材料沉积在基质上,形成过渡层;所述过渡层设置在阴极和发光层之间。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阴极以及形成在所述阴极上的电子传输层,将所述过渡层材料沉积在基质上的步骤包括:将所述过渡层材料沉积在所述电子传输层远离所述阴极的表面。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阳极以及形成在所述阳极上的发光层,将所述过渡层材料沉积在基质上的步骤包括:将所述过渡层材料沉积在所述发光层远离所述阳极的表面。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10) : (90-99);和/或
所述过渡层的厚度为80-100纳米;和/或
所述金属有机框架材料包括锌基金属有机框架材料、铜基金属有机框架材料和钴基金属有机框架材料中的至少一种;和/或
所述贵金属纳米颗粒选自金纳米颗粒、银纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择