[发明专利]发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911413164.6 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113130783B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 夏思雨;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张杨梅
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,包括:

阳极;

阴极;

设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层;

设置在所述阴极和所述发光层之间的过渡层,所述过渡层包括贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料,所述金属有机框架材料具有孔道结构,所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中;其中,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10) : (90-99)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述金属有机框架材料包括锌基金属有机框架材料、铜基金属有机框架材料和钴基金属有机框架材料中的至少一种;和/或

所述贵金属纳米颗粒选自金纳米颗粒、银纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒的粒径为30-50纳米;和/或

所述过渡层的厚度为80-100纳米;和/或

所述阴极的厚度为50-100纳米。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述阳极和所述发光层之间还设置有空穴注入层和/或空穴传输层;

所述空穴注入层的厚度为20-50纳米;

所述空穴传输层的厚度为30-50纳米。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述发光层的发射波长为400-450nm。

6.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下制备过渡层的步骤:

提供过渡层材料,所述过渡层材料包括贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料,所述金属有机框架材料具有孔道结构,所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中;其中,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10) : (90-99);

将所述过渡层材料沉积在基质上,形成过渡层;所述过渡层设置在阴极和发光层之间。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阴极以及形成在所述阴极上的电子传输层,将所述过渡层材料沉积在基质上的步骤包括:将所述过渡层材料沉积在所述电子传输层远离所述阴极的表面。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述基质包括:阳极以及形成在所述阳极上的发光层,将所述过渡层材料沉积在基质上的步骤包括:将所述过渡层材料沉积在所述发光层远离所述阳极的表面。

9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述贵金属纳米颗粒和所述金属有机框架材料的重量比为(1-10) : (90-99);和/或

所述过渡层的厚度为80-100纳米;和/或

所述金属有机框架材料包括锌基金属有机框架材料、铜基金属有机框架材料和钴基金属有机框架材料中的至少一种;和/或

所述贵金属纳米颗粒选自金纳米颗粒、银纳米颗粒和铂纳米颗粒中的至少一种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911413164.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top