[发明专利]发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，设置在阴极和发光层之间的过渡层，过渡层的材料包括：贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料，金属有机框架材料具有孔道结构，贵金属纳米颗粒负载在孔道结构中。解决了现有发光二极管存在的电子传输速率与空穴传输速率不平衡的问题，并提高了发光二极管的发光性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是使用量子点作为发光层材料应用到有机或聚合物电致发光器件中的一种新型显示器件，由电子和空穴注入到发光层并通过辐射复合发光，具备低成本、重量轻、响应速度快、色彩饱和度高等优点，拥有广阔的发展前景，已成为新一代LED显示器件的重要研究方向之一。

然而，目前的量子点发光二极管中，电子传输速率常大于空穴传输速率，导致发光层的电子和空穴复合不稳定，甚至导致过量的电子注入引起器件功能层如空穴传输层的自发光，影响量子点发光器件的发光纯度和复合效率，甚至严重影响量子点的发光特性。因而，如何平衡量子点发光二极管中电子传输速率与空穴传输速率，提高空穴和电子在量子点发光层复合的效率，以满足人们对于高效量子点发光二极管的需求，是本领域技术工作者当前亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种发光二极管，旨在解决现有发光二极管存在的电子传输速率与空穴传输速率不平衡的问题。

本发明的另一目的在于提供一种发光二极管的制备方法。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种发光二极管，包括：

阳极；

阴极；

设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层；

设置在所述阴极和所述发光层之间的过渡层，所述过渡层包括贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料，所述金属有机框架材料具有孔道结构，所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中。

本发明提供的发光二极管，其过渡层的材料包括：贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料，所述金属有机框架材料具有孔道结构，所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中，实现了平衡发光二极管中电子传输速率与空穴传输速率的目的，提高了空穴和电子在发光层复合的效率，以及从整体上提高了发光二极管的发光性能。本发明采用了贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料的复合物作为过渡层的材料，一方面，金属有机框架材料具有介电作用，通过在金属有机框架材料中引入贵金属纳米颗粒，可以有效调节材料的电阻率，从而灵活地调节电子注入效率，进而实现平衡电子传输速率与空穴传输速率的目的；另一方面，贵金属纳米颗粒具有等离子体共振效应，可在电场或光的作用下被激发产生分布在靠近纳米结构表面的亚波长区域内局部电场，局部电场激发产生等离子共振峰，当该等离子体共振峰与发光层材料的发射峰频率匹配时发生叠加，从而大大增加了发光层的发光效率和发光强度，与此同时，将贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中，可避免由于贵金属纳米颗粒与发光层材料直接接触而导致的荧光淬灭问题，并进一步增加了贵金属纳米颗粒的等离子共振效应。因而，本发明通过上述技术改进，实现了在不影响发光层自身的发光性能的同时，有效地提高了空穴和电子在发光层复合的效率，从整体上提高了发光二极管的发光性能。

相应的，一种发光二极管的制备方法，包括以下制备过渡层的步骤：

提供过渡层材料，所述过渡层材料包括：贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料，所述金属有机框架材料具有孔道结构，所述贵金属纳米颗粒负载在所述孔道结构中；

将所述过渡层材料沉积在基质上，形成过渡层。