[发明专利]基于带隙基准电压的检测电路及带隙基准电压电路

说明书

本发明揭示了一种基于带隙基准电压的检测电路及带隙基准电压电路，所述检测电路包括：第二MOS管，与带隙基准电压产生电路中电源电压V_DD和带隙基准电压V_BG之间的第一MOS管构成第一电流镜，用于复制第一MOS管中的电流；第一检测电阻，与所述第二MOS管串联设置；第三MOS管及第四MOS管，所述第三MOS管与第二MOS管并联设置，且第三MOS管和第四MOS管构成第二电流镜；第二检测电阻，与所述第四MOS管串联设置。本发明通过检测电路的设置，带隙基准电压电路中无需引入参考电压即可判断带隙基准电压是否输出正确，在带隙基准电压V_BG输出正确后输出高电平的逻辑电平信号BG_OK，能够适用于低电源电压的情况。

技术领域

本发明属于电源电路技术领域，具体涉及一种基于带隙基准电压的检测电路及带隙基准电压电路。

背景技术

电源管理集成电路中最经典的电压基准电路就是带隙基准电压源。带隙基准电压源的原理是利用双极型晶体管(BJT)的基极发射极PN结电压V_BE负温度系数和等效热电压V_T正温度系数的相互抵消实现零温漂电压基准。传统的带隙基准电压源V_BG一般由V_BE+kV_T二部分组成，V_BE是负温度系数约为-2mV/℃，而VT是正温度系数约0.086mV/℃，V_BE约0.7V，加上k倍(k＞1)的等效热电压V_T，V_T又与比例BJT管的基极发射极PN结电压的差ΔVBE相关，故输出基准电压也可表达为V_BE+k1ΔV_BE，k1为比例常数，传统的带隙基准电压源V_BG的值约1.2V，它是一种稳定可靠的不随温度变化的基准电压。在实际电路设计中常把带隙电压基准再通过电阻网络分压或倍压得到各种不同的基准电压。

大多数电源管理芯片，都要使用到带隙基准电压，而带隙基准电压通常会被用来判断输入电压V_DD是否达到最低输入电压，进而决定是否使芯片的其他功能开启。然而能否准确判断输入电压是否达到最低输入电压的前提条件是带隙基准电压已经输出正确，这就需要首先判断带隙基准电压输出正确后才能使能V_DD电压的判断。而判断带隙基准电压是否正确时没有任何参考电压可使用，所以通常判断带隙基准电压是否正确的做法都很粗糙，不能确保带隙基准一定正确后才输出指示信号BG_OK。另外，在低输入电压应用条件下，需要尽量在带隙基准电压输出正确附近即输出BG_OK信号，如图1中A位置，而要避免在图1中B位置才输出BG_OK信号，因为在B位置V_DD的电压有可能已经超过规格书定义的最低输入电压，这时V_DD最低输入电压的判断不准确也毫无意义，并且，如果输入电压刚好为最低输入电压，则不能输出BG_OK信号，芯片将无法起动。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种基于带隙基准电压的检测电路及带隙基准电压电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于带隙基准电压的检测电路及带隙基准电压电路，以在带隙基准电压输出正确附近输出高电平的逻辑电平信号。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

一种基于带隙基准电压的检测电路，所述检测电路包括：

第二MOS管，与带隙基准电压产生电路中电源电压V_DD和带隙基准电压V_BG之间的第一MOS管构成第一电流镜，用于复制第一MOS管中的电流；

第一检测电阻，与所述第二MOS管串联设置；

第三MOS管及第四MOS管，所述第三MOS管与第二MOS管并联设置，且第三MOS管和第四MOS管构成第二电流镜；

第二检测电阻，与所述第四MOS管串联设置。