[发明专利]太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法有效
申请号: | 201911413769.5 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130339B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 伏进文;费正洪;袁中存;钱海龙;曹琨;周平 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 表面 电极 图案 偏移 监控 方法 | ||
1.一种太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,其特征在于,包括:
获取太阳能电池片的第一边缘、位于所述太阳能电池片第一表面的第一电极图案、位于所述太阳能电池片第二表面的第二电极图案;
测量所述第一电极图案靠近所述第一边缘的第一轮廓线的上的两个点a1、a2分别距所述第一边缘的距离A1、A2,测量所述第二电极图案靠近所述第一边缘的第三轮廓线上的两个点b1、b2分别距所述第一边缘的距离B1、B2;
计算所述第一电极图案相对所述第二电极图案的相对偏移量,相对偏移量=(A1-A2)-(B1-B2);
若相对偏移量不在相对偏移量阈值范围内,则所述第一电极图案、所述第二电极图案中的至少一个不合格。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,其特征在于,两个点a1、a2分别位于太阳能电池片的中心线的两侧,且所述两个点a1、a2距离所述太阳能电池片的中心线的距离为50mm~70mm,所述中心线与所述第一边缘垂直。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,其特征在于,两个点b1、b2分别位于太阳能电池片的中心线的两侧,所述两个点b1、b2距离所述太阳能电池片的中心线的距离为50mm~70mm,所述中心线与所述第一边缘垂直。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,其特征在于,相对偏移量阈值介于-200μm~ 200μm之间。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,其特征在于:所述第一电极图案包括沿垂直于所述第一边缘依次设置的若干第一子图案区,所述第一子图案区包括位于所述第一子图案区一边缘处的正面主栅、位于所述正面主栅一侧的若干正面细栅,所述正面主栅与所述第一边缘相平行;
所述第二电极图案包括与所述第一子图案区一一对应的第二子图案区,所述第二子图案区包括背面主栅、位于所述背面主栅一侧的若干背面细栅,所述背面主栅与所述正面主栅平行设置,且所述背面主栅在所述第一表面的正投影与所述正面主栅分别位于所第一子图案区相对设置的两个边缘处。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,其特征在于:所述第一电极图案包括6个第一子图案区,6个所述第一子图案区以与所述第一边缘平行的中心线对称设置,且靠近所述第一边缘的所述第一子图案区的正面主栅靠近所述第一边缘处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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