[发明专利]太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法有效
申请号: | 201911413769.5 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130339B | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 伏进文;费正洪;袁中存;钱海龙;曹琨;周平 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 表面 电极 图案 偏移 监控 方法 | ||
本发明提供一种太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,包括获取太阳能电池片的第一边缘、与所述第一边缘相对设置的第二边缘、位于所述太阳能电池片第一表面的第一电极图案;测量所述第一电极图案靠近所述第一边缘的第一轮廓线距所述第一边缘的第一距离、所述第一电极图案靠近所述第二边缘的第二轮廓线距所述第二边缘的第二距离;计算所述第一电极图案相对所述太阳能电池片的位置偏移量,位置偏移量=第一距离‑第二距离;若位置偏移量不在第一电极图案偏移量阈值范围内,则所述第一电极图案不合格;能够检测表面电极图案相对太阳能电池片的偏移量,提高叠瓦电池组件效率。
技术领域
本发明涉及光伏领域,尤其涉及一种太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法。
背景技术
HIDM电池组件(叠瓦组件)是基于叠片技术的高性能、高密度光伏电池组件,与传统的光伏电池组件相比,HIDM电池组件通过将光伏电池片以更紧密的方式互相连接,使一个电池片的正面主栅线与另一个电池片背面的背面主栅线通过导电胶重叠连接,令电池间的缝隙降到最低,从而有效地减少了由于电池间隔造成的非有效发电空间。但若正面电池图形或背面电池图形印刷出现偏移,则在组件端划片后,正面与背面叠片时出现错位异常,严重影响叠瓦组件的效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法。
为实现上述申请目的,本发明采用如下技术方案:
一种太阳能电池片表面电极图案偏移的监控方法,包括获取太阳能电池片的第一边缘、与所述第一边缘相对设置的第二边缘、位于所述太阳能电池片第一表面的第一电极图案;测量所述第一电极图案靠近所述第一边缘的第一轮廓线距所述第一边缘的第一距离、所述第一电极图案靠近所述第二边缘的第二轮廓线距所述第二边缘的第二距离;计算所述第一电极图案相对所述太阳能电池片的位置偏移量,位置偏移量=第一距离-第二距离;若位置偏移量不在第一电极图案偏移量阈值范围内,则所述第一电极图案不合格。
进一步地,所述第一距离为所述第一轮廓线上的至少两个点分别距所述第一边缘的距离的平均值;所述至少两个点包括分别位于太阳能电池片的中心线的两侧的两个点a1、a2,且所述两个点a1、a2距离所述太阳能电池片的中心线的距离为50mm~70mm,所述中心线与所述第一边缘垂直。
进一步地,所述第二距离为所述第二轮廓线上的至少两个点距所述第二边缘的距离的平均值;
所述两个点包括分别位于太阳能电池片的中心线的两侧的两个点a3、a4,且所述两个点a3、a4距离所述太阳能电池片的中心线的距离为50mm~70mm,所述中心线与所述第一边缘垂直。
进一步地,第一电极图案偏移量阈值范围介于-100μm~100μm之间。
进一步地,所述第一表面为太阳能电池片正面,所述第一电极图案包括沿垂直于所述第一边缘依次设置的若干第一子图案区,所述第一子图案区包括位于所述第一子图案区一边缘处的正面主栅、位于所述正面主栅一侧的若干正面细栅,所述正面主栅与所述第一边缘相平行;
或,所述第一表面为太阳能电池片背面,所述第一电极图案包括沿垂直于所述第一边缘依次设置的若干第一子图案区,所述第一子图案区包括背面主栅、位于所述背面主栅一侧的若干背面细栅,所述背面主栅与所述第一边缘相平行。
进一步地,所述第一表面为太阳能电池片正面,所述第一电极图案包括沿垂直于所述第一边缘依次设置的若干第一子图案区,所述第一子图案区包括位于所述第一子图案区一边缘处的正面主栅、位于所述正面主栅一侧的若干正面细栅,所述正面主栅与所述第一边缘相平行;所述太阳能电池片还包括位于第二表面的第二电极图案,所述第二电极图案包括与所述第一子图案区一一对应的第二子图案区,所述第二子图案区包括背面主栅、位于所述背面主栅一侧的若干背面细栅,所述背面主栅与所述正面主栅平行设置,且所述背面主栅在所述第一表面的正投影与所述正面主栅分别位于所第一子图案区相对设置的两个边缘处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911413769.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造