[发明专利]半导体模块封装方法及半导体模块在审

专利信息
申请号: 201911413773.1 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111599769A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 陈莉;霍炎 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 曾莺华
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体模块封装方法,其特征在于,其包括以下步骤:

S1:将第一芯片组件贴装在载板上;

S2:通过第一包封层覆盖在整个所述载板上,对所述第一芯片组件进行塑封形成第一包封结构件;

S3:剥离所述载板;

S4:在所述第一包封结构件上形成第一再布线结构,所述第一再布线结构对应于第一芯片组件设有焊垫的一面形成于所述第一包封结构件的一面,所述第一再布线结构与所述第一芯片组件的焊垫电连接;

S5:将所述第一再布线结构与引线框电连接;

S6:对一面形成有所述第一再布线结构的所述第一包封结构件以及部分所述引线框进行塑封,形成半导体模块。

2.如权利要求1所述的半导体模块封装方法,其特征在于,所述第一再布线结构包括相对的第一表面和第二表面,所述第一再布线结构形成于所述第一包封结构件的第一表面,在步骤S4之后,以及步骤S5之前,所述半导体模块封装方法包括:

对所述第一包封结构件的第二表面进行研磨。

3.一种半导体模块封装方法,其特征在于,其包括以下步骤:

S1:将第一芯片组件贴装在载板上;

S2:通过第一包封层覆盖在整个所述载板上,对所述第一芯片组件进行塑封形成第一包封结构件;

S3:剥离所述载板;

S4:在所述第一包封结构件上形成第一再布线结构,所述第一再布线结构对应于第一芯片组件设有焊垫的一面形成于所述第一包封结构件的一面,所述第一再布线结构与所述第一芯片组件的焊垫电连接;

S5:将第二芯片组件与所述第一再布线结构连接,并通过第二包封层覆盖在整个所述第一再布线结构上,对所述第二芯片组件塑封形成所述第二包封结构件;

S6:在所述第二包封结构件上形成第二再布线结构,所述第二再布线结构对应于第二芯片组件设有焊垫的一面形成于所述第二包封结构件的一面,所述第二再布线结构与所述第二芯片组件的焊垫、和/或所述第一再布线结构电连接;

S7:将所述第二再布线结构与引线框电连接;

S8:对一面形成有所述第一再布线结构的所述第一包封结构件、一面形成有所述第二再布线结构的所述第二包封结构件以及部分所述引线框进行塑封,形成半导体模块。

4.如权利要求3所述的半导体模块封装方法,其特征在于,

在步骤S7中,重复步骤S5和步骤S6,得到叠设的N层所述第二包封结构件及N层所述第二再布线结构,N为大于2的整数,其中,

第1层所述第二包封结构件中的所述第二芯片组件与所述第一再布线结构连接,第N层所述第二再布线结构与第N层所述第二包封结构件中的第二芯片组件、和/或第N-1层所述第二再布线结构电连接;及,

将第N层所述第二再布线结构与所述引线框电连接;

在步骤S8中,对一面形成有所述第一再布线结构的所述第一包封结构件、第1层至第N层一面形成有所述第二再布线结构的所述第二包封结构件以及部分所述引线框进行塑封,形成半导体模块。

5.如权利要求1或3所述的半导体模块封装方法,其特征在于,所述第一芯片组件包括电容、电阻和芯片中的一种或多种。

6.如权利要求3所述的半导体模块封装方法,其特征在于,所述第二芯片组件包括电容、电阻和芯片中的一种或多种。

7.如权利要求3所述的半导体模块封装方法,其特征在于,所述第一再布线结构包括相对的第一表面和第二表面,所述第一再布线结构形成于所述第一包封结构件的第一表面,在步骤S6之后,以及步骤S7之前,所述半导体模块封装方法包括:

对所述第一包封结构件的第二表面进行研磨。

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