[发明专利]IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路

说明书

本申请涉及一种IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路，该IGBT门极推挽驱动电路包括：驱动芯片、推挽驱动模块；驱动芯片与推挽驱动模块连接，用于向推挽驱动模块提供驱动信号；推挽驱动模块与IGBT连接，用于根据驱动信号进行处理输出驱动电压和驱动电流以驱动IGBT导通或关断；推挽驱动模块还用于在IGBT导通或关断进入稳态使驱动电流变为零之后不产生压降，使驱动电压与设计电压相等。通过本申请技术方案，可避免驱动电压在IGBT门极驱动前端的电路中产生压降，确保IGBT驱动电压和设计值相同。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路。

背景技术

随着半导体技术的快速发展，各种性能优越的功率半导体器件快速的涌现，对电源行业、新能源行业、电机驱动等行业带来了极大的发展机遇，很大程度上的推动了我国电力电子行业的大力发展。然而由于器件的自身特性，功率半导体器件在工作中的可靠性很大程度上取决于驱动电路的性能，现阶段比较成熟的IGBT驱动方案是采用推挽放大输出驱动IGBT的方法。由于开关管的本身特性，当IGBT导通完成之后门极电流为零产生压降，压降极大程度上影响IGBT的门极驱动电压，导致IGBT驱动电压比设计的驱动电压低，从而影响IGBT的导通和关断性能。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种IGBT门极推挽驱动电路、方法及IGBT驱动电路。

第一方面，本申请实施例提供了一种IGBT门极推挽驱动电路，该电路包括：

驱动芯片、推挽驱动模块；

驱动芯片与推挽驱动模块连接，用于向推挽驱动模块提供驱动信号；

推挽驱动模块与IGBT连接，用于根据驱动信号进行处理输出驱动电压和驱动电流以驱动IGBT导通或关断；

推挽驱动模块还用于在IGBT导通或关断进入稳态使驱动电流变为零之后不产生压降，使驱动电压与设计电压相等。

可选地，推挽驱动模块包括第一开关模块、第二开关模块、第一电阻、第二电阻、第三电阻；

驱动芯片通过第一电阻分别与第一开关模块和第二开关模块连接，并通过第一电阻为第一开关模块和第二开关模块提供驱动信号以控制第一开关模块和第二开关模块导通或关断；

第一开关模块通过第二电阻与IGBT连接，用于在第一开关模块导通、第二开关模块关断时输出驱动电压和驱动电流以控制IGBT导通；

第二开关模块通过第二电阻与IGBT连接，用于在第二开关模块导通、第一开关模块关断时输出驱动电压和驱动电流以控制IGBT关断；

第三电阻连接于第一电阻、第二电阻之间，用于在IGBT导通进入稳态使驱动电流变为零之后，控制第一开关模块不产生压降，使驱动电压与设计电压相等，或，

第三电阻连接于第一电阻、第二电阻之间，用于在IGBT关断进入稳态使驱动电流变为零之后，控制第二开关模块不产生压降，使驱动电压与设计电压相等。

可选地，第一开关模块包括第一电源、第一开关管，第二开关模块包括第二电源、第二开关管，第一开关管和第二开关管均为三极管；

第一电源的正极接第一开关管的集电极、负极接地，第一开关管的基极接第三电阻的第一端、发射极接第三电阻的第二端；

第二电源的正极接地、负极接第二开关管的集电极，第二开关管的基极接第三电阻的第一端、发射极接第三电阻的第二端；

第三电阻的第一端与第一电阻的一端连接、第二端与第二电阻的一端连接；

IGBT的栅极与第二电阻的另一端连接。