[发明专利]一种热电堆及其制备方法、探测器在审
申请号: | 201911415065.1 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111207828A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 周娜;李俊杰;熊文娟;高建峰;杨涛;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;G01J5/12;G01J5/16;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热电 及其 制备 方法 探测器 | ||
1.一种热电堆制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底,在所述衬底的第一表面形成第一介质层;
对所述第一介质层进行至少一次降应力处理;
在所述第一介质层背离所述衬底的表面形成至少一个热偶对;
在所述第一介质层背离所述衬底的表面上方形成吸收结构;
在所述衬底上形成热端结构。
2.根据权利要求1所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第一表面形成第一介质层后,对所述第一介质层进行至少一次降应力处理。
3.根据权利要求1或2所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第一介质层背离所述衬底的表面形成至少一个热偶对,包括:
在所述第一介质层背离所述衬底的表面形成热偶材料层,处理所述热偶材料层形成至少一个热偶;
在所述第一介质层背离所述衬底的表面形成第二介质层,用于隔离和覆盖所述热偶;
在所述第二介质层形成至少一个电极,所述至少一个电极与所述至少一个热偶一一对应电连接,形成所述至少一个热偶对。
4.根据权利要求3所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第一表面形成第一介质层后,在所述第一介质层背离所述衬底的表面形成热偶材料层前,对所述第一介质层进行至少一次降应力处理包括:
至少对所述第一介质层进行降应力处理。
5.根据权利要求3或4所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第一介质层背离所述衬底的表面形成热偶材料层后,对所述热偶材料层处理形成至少一个热偶前,对所述第一介质层进行至少一次降应力处理包括:
对所述热偶材料层和所述第一介质层进行降应力处理。
6.根据权利要求3、4或5所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第一介质层背离所述衬底的表面形成第二介质层后,在所述第二介质层形成至少一个电极前,对所述第一介质层进行至少一次降应力处理包括:
对所述第一介质层、第二介质层进行降应力处理。
7.根据权利要求1~6任一项所述的热电堆制备方法,其特征在于,所述第一介质层为单层结构或复合层结构。
8.根据权利要求1所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第一表面形成第一介质层,包括:
在所述第一表面形成层叠的至少一层第一材料介质层和至少一层第二材料介质层,所述第一材料介质层与所述第一表面接触,相邻两层所述第一材料介质层之间具有一层所述第二材料介质层。
9.根据权利要求8所述的热电堆制备方法,其特征在于,形成至少一层第一材料介质层后,对所述第一介质层进行至少一次降应力处理,包括:
对所述至少一层第一材料介质层进行至少一次降应力处理;
和/或,
形成至少一层第二材料介质层后,对所述第一介质层进行至少一次降应力处理包括:
对所述至少一层第一材料介质层进行至少两次降应力处理;
对所述至少一层第二材料介质层进行至少一次降应力处理。
10.根据权利要求1所述的热电堆制备方法,其特征在于,提供所述衬底后,在所述衬底上形成热端结构前,所述热电堆制备方法还包括:
在所述衬底的第二表面形成第三介质层,所述第二表面背离所述第一表面。
11.根据权利要求10所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第二表面形成第三介质层后,所述热电堆制备方法还包括:对所述第三介质层进行降应力处理。
12.根据权利要求10所述的热电堆制备方法,其特征在于,在所述第二表面形成第三介质层,包括:
在第二表面形成层叠的至少一层第三材料介质层和至少一层第四材料介质层,所述第三材料介质层与所述第二表面接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911415065.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。