[发明专利]一种热电堆及其制备方法、探测器

说明书

本发明公开一种热电堆及其制备方法、探测器，涉及红外探测技术领域，以提高热电堆性能，热电堆制备方法包括步骤，提供衬底，在衬底的第一表面形成第一介质层；对第一介质层进行至少一次降应力处理；在第一介质层背离衬底的表面形成至少一个热偶对；在第一介质层背离衬底的表面上方形成吸收结构；在衬底上形成热端结构。所述热电堆采用上述制备方法制成。本发明提供的热电堆应用在探测器中。

技术领域

本发明涉及探测技术领域，特别是涉及一种热电堆及其制备方法、探测器。

背景技术

热电堆通常由四部分组成，分别是红外吸收层、介质层、热电偶以及支撑结构。利用热电堆产生的塞贝克电压能够间接探测红外辐射的大小。

目前，在大规模生产热电堆器件的过程中，一般将微电子机械系统(MicroElectro-Mechanical System，缩写为MEMS)技术与互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，缩写为CMOS)工艺兼容在一起，形成MEMS热电堆。但是，将MEMS技术和CMOS工艺兼容在一起后，会对MEMS热电堆的性能产生了极大的负面影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种热电堆及其制备方法、探测器，以降低对热电堆性能的不利影响。

为了实现上述目的，本发明提供一种热电堆制备方法，包括以下步骤：

提供衬底，在衬底的第一表面形成第一介质层；

对第一介质层进行至少一次降应力处理；

在第一介质层背离衬底的表面形成至少一个热偶对；

在第一介质层背离衬底的表面上方形成吸收结构；

在衬底上形成热端结构。

优选的，在第一表面形成第一介质层后，对第一介质层进行至少一次降应力处理。

优选的，在第一介质层背离衬底的表面形成至少一个热偶对，包括：

在第一介质层背离衬底的表面形成热偶材料层，处理热偶材料层形成至少一个热偶；

在第一介质层背离衬底的表面形成第二介质层，用于隔离和覆盖热偶；

在第二介质层形成至少一个电极，至少一个电极与至少一个热偶一一对应电连接，形成至少一个热偶对。

优选的，在第一表面形成第一介质层后，在第一介质层背离衬底的表面形成热偶材料层前，对第一介质层进行至少一次降应力处理包括：

至少对第一介质层进行降应力处理。

优选的，在第一介质层背离衬底的表面形成热偶材料层后，对热偶材料层处理形成至少一个热偶前，对第一介质层进行至少一次降应力处理包括：

对热偶材料层和第一介质层进行降应力处理。

优选的，在第一介质层背离衬底的表面形成第二介质层后，在第二介质层形成至少一个电极前，对第一介质层进行至少一次降应力处理包括：

对第一介质层、第二介质层以及至少一个热偶进行降应力处理。

优选的，第一介质层为单层结构或复合层结构。

优选的，在第一表面形成第一介质层，包括：

在第一表面形成层叠的至少一层第一材料介质层和至少一层第二材料介质层，第一材料介质层与第一表面接触，相邻两层第一材料介质层之间具有一层第二材料介质层。

优选的，形成至少一层第一材料介质层后，对第一介质层进行至少一次降应力处理，包括：

对至少一层第一材料介质层进行至少一次降应力处理；