[发明专利]一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体约束结构，其特征在于，包括：

接地环，所述接地环形成有多个第一通道；

在所述接地环上设置的约束环，所述约束环中形成有多个第二通道，所述约束环和所述接地环之间形成有绝缘层；所述第一通道和所述第二通道连通，所述第一通道和所述第二通道不在同一条直线上；在所述约束环上形成有等离子体时，所述等离子体通过所述第二通道进入所述约束环。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述约束环的下表面或所述接地环的上表面形成有第一沉孔，所述第一通道和所述第二通道通过所述第一沉孔连通。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述接地环包括多个层叠的接地部件，所述接地部件中形成有多个接地通孔构成所述第一通道，相邻的接地部件中的接地通孔不在同一条直线上。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述接地环包括层叠的第一部件和第二部件，所述第一部件和所述第二部件中形成有多个接地通孔构成所述第一通道，所述第一部件设置于所述第二部件的上方，所述第一部件中的接地通孔与所述第二部件中的接地通孔不在同一条直线上，与所述第二通道不在同一条直线上。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述第一部件的下表面形成有第二沉孔，所述第一部件中的多个接地通孔与所述第二部件中的多个接地通孔通过所述第二沉孔连通。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述约束环包括多个层叠的约束部件，所述约束部件中形成有多个约束通孔构成所述第二通道，相邻的约束部件中的约束通孔不在同一条直线上。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述接地环还包围所述约束环的外壁。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的结构，其特征在于，所述第一通道和所述第二通道方向不同，和/或，所述第二通道的下方开口与所述第一通道的上方开口不正对。

9.一种等离子体约束结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供接地环，所述接地环形成有多个第一通道；

在所述接地环上设置约束环，所述约束环中形成有多个第二通道，所述约束环和所述接地环之间形成有绝缘层；所述第一通道和所述第二通道连通，所述第一通道和所述第二通道不在同一条直线上；在所述约束环上形成有等离子体时，所述等离子体通过所述第一通道进入所述约束环。

10.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：

真空反应腔；

静电吸盘，位于所述真空反应腔内底部，用于承载待处理晶圆；

如权利要求1-8任意一项所述的等离子体约束结构。