[发明专利]一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置，其中等离子体约束结构可以包括接地环和在接地环上设置的约束环，接地环和与约束环之间形成有绝缘层，接地环中形成有多个第一通道，约束环中形成有多个第二通道，第一通道和第二通道连通，第一通道和第二通道不在同一条直线上，在约束环上形成有等离子体时，等离子体可以通过第二通道进入约束环，通过约束环可以对其上的等离子体进行约束，由于第一通道和第二通道不在同一条直线上，第一通道和第二通道作为等离子体通道时，其通道的长度有所增大，等离子体与第一通道和第二通道的侧壁接触的可能性也较高，因此提高了对等离子体的约束能力。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子体平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂或淀积气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面淀积材料层，进而对半导体基片和等离子体平板进行加工。

等离子体是扩散性的，虽然大部分等离子体会停留在一对电极之间的处理区域中，但等离子体同时也充满整个工作室，如果不将等离子体约束在一定的工作区域内，带电粒子将撞击未被保护的区域，进而导致半导体基片表面形成杂质导致污染。

因此，可以在等离子体处理装置中设置约束环(confinement ring)，用以控制用过的反应气体的排出并且当反应气体中的带电粒子通过该约束环时，可以将它们电中和，从而将放电基本约束在约束环之上的处理区域以内，以防止等离子体处理装置中可能造成的腔体污染问题。

然而，在射频功率越来越高的变化过程中，对约束环的约束能力要求也越来越高，目前的约束结构并不能满足对等离子体的约束的需求。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置，提高等离子体约束结构的约束能力。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

本发明实施例提供了一种等离子体约束结构，其特征在于，包括：

接地环，所述接地环形成有多个第一通道；

在所述接地环上设置的约束环，所述约束环中形成有多个第二通道，所述约束环和所述接地环之间形成有绝缘层；所述第一通道和所述第二通道连通，所述第一通道和所述第二通道不在同一条直线上；在所述约束环上形成有等离子体时，所述等离子体通过所述第二通道进入所述约束环。

可选的，所述约束环的下表面或所述接地环的上表面形成有第一沉孔，所述第一通道和所述第二通道通过所述第一沉孔连通。

可选的，所述接地环包括多个层叠的接地部件，所述接地部件中形成有多个接地通孔构成所述第一通道，相邻的接地部件中的接地通孔不在同一条直线上。

可选的，所述接地环包括层叠的第一部件和第二部件，所述第一部件和所述第二部件中形成有多个接地通孔构成所述第一通道，所述第一部件设置于所述第二部件的上方，所述第一部件中的接地通孔与所述第二部件中的接地通孔不在同一条直线上，与所述第二通道不在同一条直线上。

可选的，所述第一部件的下表面形成有第二沉孔，所述第一部件中的多个接地通孔与所述第二部件中的多个接地通孔通过所述第二沉孔连通。

可选的，所述约束环包括多个层叠的约束部件，所述约束部件中形成有多个约束通孔构成所述第二通道，相邻的约束部件中的约束通孔不在同一条直线上。

可选的，所述接地环还包围所述约束环的外壁。