[发明专利]一种微同轴键合接口

说明书

本发明提供了一种微同轴键合接口，属于芯片连接结构技术领域，包括外导体、内导体、绝缘板以及支撑体；其中，外导体设有通腔；内导体悬空设置在通腔内，内导体的一端用于与键合芯片通过键合线键合；绝缘板设于通腔内且与内导体的键合端搭接，一端伸出通腔且伸出端与外导体的侧壁固定连接；支撑体设于通腔内且位于绝缘板的正下方，支撑体的顶端支撑于绝缘板的底面。本发明提供的一种微同轴键合接口，绝缘板的正下方设有支撑体，在内导体上进行键合操作时，能够避免因键合下压而造成内导体向下弯折或下坠的问题，确保键合点的结合强度高，从而保证键合质量，确保键合接口的信号传输稳定可靠。

技术领域

本发明属于芯片连接结构技术领域，更具体地说，是涉及一种微同轴键合接口。

背景技术

目前，在芯片安装连接时，尤其是GaAs(砷化镓)芯片，通常采用微同轴接口进行键合的方式，微同轴接口由管状外导体和绝缘设置于外导体内部的内导体组成，由于内导体与外导体之间必须绝缘，需要将内导体在外导体内悬空隔离设置，由于内导体需要与GaAs芯片进行键合连接，在将内导体上键合键合线时，在键合下压作用力下，由于内导体仅依靠在微同轴结构内部的连接而悬空于外导体内部，因此内导体容易向下方弯折或者下坠，从而增加键合难度，且由于无法施加足够的键合下压力而导致键合点的结合强度低，影响键合质量，甚至于当内导体向下弯折幅度过大无法恢复原位时，会影响内导体的电性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微同轴键合接口，旨在解决现有技术中因键合接口的强度低而影响电性能的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种微同轴键合接口，包括：

外导体，设有通腔；

内导体，悬空设置在通腔内，内导体的一端用于与键合芯片通过键合线键合；

绝缘板，设于通腔内且与内导体的键合端搭接，一端伸出通腔且伸出端与外导体的侧壁固定连接；

支撑体，设于通腔内且位于绝缘板的正下方，支撑体的顶端支撑于绝缘板的底面。

作为本申请另一实施例，内导体上远离其键合端的位置设有电感匹配段，电感匹配段用于在内导体上形成电感加载效应。

作为本申请另一实施例，电感匹配段的宽度小于内导体的宽度。

作为本申请另一实施例，外导体、内导体、绝缘板以及支撑体通过MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)工艺一体成型。

作为本申请另一实施例，内导体与绝缘板搭接的位置设有凹陷面，绝缘板嵌装于凹陷面内，且绝缘板的底面与内导体的底面平齐。

作为本申请另一实施例，绝缘板的厚度小于或等于20μm。

作为本申请另一实施例，绝缘板水平设置，且绝缘板垂直于通腔轴线方向的两端分别嵌入外导体的侧壁内。

作为本申请另一实施例，绝缘板的两端分别设有通孔，外导体的两侧壁分别设有与通孔对应插接的固定柱。

作为本申请另一实施例，外导体为方形，通腔为方形通孔。

作为本申请另一实施例，外导体设有绝缘板的一端为台阶结构，台阶结构的台阶面与内导体的顶面平齐。

本发明提供的一种微同轴键合接口的有益效果在于：与现有技术相比，本发明一种微同轴键合接口，内导体悬空设置在外导体的通腔内，通过两端嵌装在外导体的两侧壁的绝缘板进行搭接支撑，且绝缘板的正下方设有支撑体，从而提高绝缘体对内导体的支撑强度，在内导体上进行键合线的键合操作时，能够避免因键合下压而造成内导体向下弯折或下坠的问题，确保键合点的结合强度高，从而保证键合质量，确保键合接口的电性能稳定可靠。

附图说明