[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆上表面形成有电子器件以及与所述电子器件电连接的电连接结构；

在所述器件晶圆的上表面形成支撑层，所述支撑层覆盖所述电子器件以及所述电连接结构；

在所述支撑层中形成暴露所述电子器件的开口，并在所述电子器件的周围形成支撑墙，所述支撑墙包裹所述电连接结构并形成有暴露所述电连接结构的第一通孔；

提供衬底，在所述衬底的上表面形成顶盖层，所述顶盖层包括由介电材料形成的介质层，且所述介电材料的杨氏模量大于硅的杨氏模量；

将所述顶盖层与所述支撑墙键合，使所述电子器件与所述顶盖层之间形成空腔，所述空腔顶面的所述顶盖层为平整的膜层；

去除所述衬底。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述器件晶圆的上表面形成支撑层步骤中，包括：

在所述器件晶圆的上表面涂覆一层干膜并使所述干膜固化成型，以形成所述支撑层，所述支撑层的厚度大于所述电子器件和所述电连接结构中任意一个的厚度。

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述支撑层中形成暴露所述电子器件的开口，并在所述电子器件的周围形成支撑墙步骤中，包括：

对所述干膜进行图形化工艺，以暴露所述电子器件的有效功能区并在所述电子器件的周围形成所述支撑墙。

4.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述衬底的上表面形成顶盖层包括：

在所述衬底上形成干膜，在所述干膜上形成介质层；或者，

在所述衬底上形成介质层，在所述介质层上形成干膜。

5.根据权利要求4所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成介质层的方法包括：

通过气相沉积工艺在所述衬底的上表面形成所述介质层；

所述气相沉积工艺包括化学汽相沉积工艺和物理气相沉积工艺。

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述介质层的厚度为5μm至30μm。

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述介质层的杨氏模量大于100Gpa。

8.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述介质层透明，形成所述介质层的所述介电材料包括氧化硅、氮化硅、氮化铝、碳化硅中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在去除所述衬底步骤中，包括：

对所述衬底进行背面减薄工艺，使所述衬底的厚度达到预设厚度。

10.根据权利要求8所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在去除所述衬底步骤中，还包括：

当所述衬底被减薄至预设厚度后，通过湿法刻蚀工艺去除所述衬底。

11.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在去除所述衬底之后，还包括：

刻蚀所述顶盖层，形成第二通孔并暴露所述器件晶圆的切割道，所述第二通孔连通所述第一通孔并暴露所述电连接结构，其中，所述电连接结构为位于所述电子器件周围并焊垫与所述电子器件电连接的至少一个焊垫。

12.根据权利要求11所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在形成第二通孔并暴露所述器件晶圆的切割道之后，还包括：

在所述第一通孔和第二通孔中形成与所述焊垫电连接的导电插塞，所述导电插塞的材料为铜或金。

13.根据权利要求11所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在形成与所述电子器件电连接的导电插塞之后，还包括：

沿所述切割道对所述器件晶圆进行切割工艺，以形成完成封装的电子器件。