[发明专利]一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法

说明书

本发明提供一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法，刻蚀液包括以下组分：双氧水、双氧水稳定剂、胺类pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，余量为水；所述胺类pH调节剂为式1和/或式2所示的化合物，其中，R₁、R₄独立的选自C₁～₄亚烷基，R₂、R₃、R₅、R₆独立的选自单键或者C₂～₄亚烷基。该刻蚀液不仅能够实现优异的刻蚀精度，更不会对金属氧化物IGZO膜层造成损伤，可以实现IGZO产品从6Mask工艺升级为5Mask工艺，有利于降低显示产品的制造成本、提高显示产品的分辨率。

技术领域

本发明涉及一种刻蚀液，尤其涉及一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法，属于刻蚀技术领域。

背景技术

目前TFT阵列生产工艺中，针对电视等液晶显示产品的大尺寸化、高分辨率及驱动频率的需求，多是通过利用刻蚀液对铜钼金属层进行刻蚀处理以生成具有特定图样的金属层来解决TFT阵列基板中电阻/电容时间延迟问题。

在刻蚀处理中，为了避免刻蚀液对金属氧化物半导体的腐蚀，通常采用刻蚀阻挡层半导体构造，即，增加一层半导体保护层以确保金属氧化物半导体不受刻蚀液的影响，但是该半导体保护层不仅增加了显示产品的制造成本以及制造周期，还对显示产品的分辨率具有消极影响。

发明内容

本发明提供一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液，该刻蚀液不仅能够实现优异的刻蚀精度，更不会对金属氧化物IGZO膜层造成损伤，有利于降低显示产品的制造成本、提高显示产品的分辨率。

本发明还提供一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液的制备方法，该制备方法简单易行，能够高效完成刻蚀性能优异、且不会对金属氧化物IGZO膜层造成损伤的刻蚀液。

本发明提供一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液，包括以下组分：双氧水、双氧水稳定剂、胺类pH调节剂、络合剂、金属缓蚀剂，余量为水；所述胺类pH调节剂为式1和/或式2所示的化合物，

其中，R₁、R₄独立的选自C₁～₄亚烷基，R₂、R₃、R₅、R₆独立的选自单键或者C₂～₄亚烷基。

如上所述的用于铜钼及合金膜的刻蚀液，其中，按照质量百分含量包括以下组分：双氧水6-15％、双氧水稳定剂0.01-5％、胺类pH调节剂1-10％、络合剂0.01-10％、金属缓蚀剂0.01-5％，余量为水。

如上所述的用于铜钼及合金膜的刻蚀液，其中，所述胺类pH调节剂选自N,N-二羟甲基乙二胺、N,N-二羟甲基丙二胺、N,N-二羟乙基丙二胺、N,N-二羟乙基乙二胺、N,N-二羟乙基丁二胺、N,N-二氨甲基乙二胺、N,N-二氨甲基丙二胺、N,N-二氨乙基丙二胺、N,N-二氨乙基乙二胺、N,N-二氨乙基丁二胺中的一种或多种。

如上所述的用于铜钼及合金膜的刻蚀液，其中，所述双氧水稳定剂为有机酸和/或有机胺类化合物。

如上所述的用于铜钼及合金膜的刻蚀液，其中，所述双氧水稳定剂为有机酸和苯基脲的混合物。

如上所述的用于铜钼及合金膜的刻蚀液，其中，所述络合剂为有机酸和/或有机含氮化合物。

如上所述的用于铜钼及合金膜的刻蚀液，其中，所述有机酸选自乙酸、草酸、丙酸、琥珀酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、α，ω-二胺乙酸、α,ω-二胺琥珀酸、α,ω-二胺丙酸、1，2-二氨基丙烷四乙酸、柠檬酸、异柠檬酸、富马酸、马来酸、谷氨酸、酒石酸、浴酮灵二磺酸及其衍生物中的一种或多种；