[发明专利]一种提高LEP工艺中化镀层附着力的方法及LEP化学镀产品在审
申请号: | 201911421573.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111058019A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 马承文;翟后明;薛阔;张东胜;孔维贞;胡宗亮 | 申请(专利权)人: | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C23C18/20;C23C18/38;C23C18/42 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 贺姿;胡晶 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 lep 工艺 镀层 附着力 方法 化学 产品 | ||
1.一种提高LEP工艺中化镀层附着力的方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板;
第一道激光处理:采用激光束对所述基板的表面进行连续扫描,得到第一扫描区域;
第二道激光处理:采用激光束在所述第一扫描区域上进行点状扫描,打下相互之间具有间距的光斑,得到第二扫描区域;
将所述第一扫描区域及第二扫描区域浸入金属离子溶液中,并在所述第一扫描区域及所述第二扫描区域上诱导镀制金属作为种子层;
化学镀加厚所述种子层,在所述种子层上形成化镀层。
2.根据权利要求1所述的提高LEP工艺中化镀层附着力的方法,其特征在于,所述第一道激光处理和所述第二道激光处理中,采用的激光束的能量均为3~9W,激光束的光斑大小为0.06~0.1mm。
3.根据权利要求2所述的提高LEP工艺中化镀层附着力的方法,其特征在于,所述第一道激光处理和所述第二道激光处理中,采用的激光束的能量为6W,激光束的光斑大小为0.08mm。
4.根据权利要求1所述的提高LEP工艺中化镀层附着力的方法,其特征在于,所述第二道激光处理中,所述光斑之间的间距为0.15~0.5mm,所述光斑的深度为0.02~0.05mm。
5.根据权利要求1所述的提高LEP工艺中化镀层附着力的方法,其特征在于,所述金属离子溶液为钯离子溶液。
6.根据权利要求1所述的提高LEP工艺中化镀层附着力的方法,其特征在于,所述基板是塑胶基板。
7.根据权利要求1所述的提高LEP工艺中化镀层附着力的方法,其特征在于,所述化学镀加厚所述种子层,在所述种子层的上层形成化镀层具体包括:化学镀铜加厚所述种子层,在所述种子层的上层形成化学铜层。
8.一种LEP化学镀产品,其特征在于,采用权利要求1至7任一项所述的提高LEP工艺中化镀层附着力的方法制得,所述LEP化学镀产品包括:
基板,所述基板的表面上分布有若干个光斑凹槽;
种子层,所述种子层诱导沉积于所述基板表面上及光斑凹槽内;
化镀层,所述化镀层沉积于所述种子层上。
9.根据权利要求8所述的LEP化学镀产品,其特征在于,所述光斑凹槽之间的间距为0.15~0.5mm,所述光斑凹槽的深度为0.02~0.05mm。
10.根据权利要求8所述的LEP化学镀产品,其特征在于,所述种子层为钯金属。
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C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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