[发明专利]防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备在审

专利信息
申请号: 201911421939.4 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111050258A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 林育菁;池上尚克;畠山庸平 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: H04R19/00 分类号: H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 柳岩
地址: 261031 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 防尘 结构 麦克风 封装 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种防尘结构,其特征在于,包括:

载体,所述载体的中部形成有通孔,所述载体经过疏水化处理,以在所述载体的底部形成疏水部;

膜体,所述膜体包括网格结构和围绕所述网格结构设置的连接部,所述网格结构覆盖在所述通孔的一端,所述连接部连接在所述载体上,所述载体的底部为所述载体远离所述膜体的表面。

2.根据权利要求1所述的防尘结构,其特征在于,所述疏水化处理包括氟化处理,以在所述载体的底部形成氟化层。

3.根据权利要求2所述的防尘结构,其特征在于,所述氟化处理包括反应离子刻蚀,在反应离子刻蚀中采用含氟气体。

4.根据权利要求3所述的防尘结构,其特征在于,所述含氟气体包含SF6、XeF2、NF3、CF4中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的防尘结构,其特征在于,所述疏水化处理包括将所述载体的底部处理为粗糙表面。

6.根据权利要求5所述的防尘结构,其特征在于,使所述载体的底部经过氩气处理以形成所述粗糙表面;或者,经过氩离子离子束进行的物理离子撞击以形成所述粗糙表面。

7.根据权利要求6所述的防尘结构,其特征在于,

通过Photolithography、Dry-Etching中的一种方法进行所述氩气处理。

8.根据权利要求7所述的防尘结构,其特征在于,所述粗糙表面还经过氟化处理。

9.一种麦克风封装结构,其特征在于,包括权利要求1-8中任意一项所述的防尘结构,所述防尘结构固定在麦克风封装结构的声孔上;

或者,所述防尘结构包覆麦克风封装结构内的MEMS芯片。

10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求9所述的麦克风封装结构。

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