[发明专利]防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备

说明书

本发明公开了一种防尘结构、麦克风结构以及电子设备，包括：载体，所述载体的中部形成有通孔，所述载体经过疏水化处理，以在所述载体的底部形成疏水部；膜体，所述膜体包括网格结构和围绕所述网格结构设置的连接部，所述网格结构覆盖在所述通孔的一端，所述连接部连接在所述载体上，所述载体的底部为所述载体远离所述膜体的表面。本发明的一个技术效果在于，通过对载体表面进行疏水化处理，降低防尘结构与转印到的UV胶带上的粘接力，这样更容易将防尘结构从UV胶带上取下，不会对防尘结构造成损坏。

技术领域

本发明涉及声电技术领域，更具体地，涉及一种防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备。

背景技术

为了防止灰尘等异物影响MEMS器件，通常会设置防尘结构进行防护。防尘结构从制造到安装在设定位置的过程中需要经过一系列操作。例如，需要将防尘结构从特定的位置拾取到安装位置。

在制造过程中需要将防尘结构转印到UV胶带上面。之后，将防尘结构拾取并放置到设定位置。在拾取的过程中，由于防尘结构和UV胶带间的粘结力会使拾取操作变得困难。在拾取操作中会出现不能正常将防尘结构从UV胶带上取下的情况，或者拾取的力过大，会损坏防尘结构。

因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种防尘结构，包括：

载体，所述载体的中部形成有通孔，所述载体经过疏水化处理，以在所述载体的底部形成疏水部；

膜体，所述膜体包括网格结构和围绕所述网格结构设置的连接部，所述网格结构覆盖在所述通孔的一端，所述连接部连接在所述载体上，所述载体的底部为所述载体远离所述膜体的表面。

可选地，所述疏水化处理包括氟化处理，以在所述载体的底部形成氟化层。

可选地，氟化处理包括反应离子刻蚀，在反应离子刻蚀中采用含氟气体。

可选地，所述含氟气体包含SF₆、XeF₂、NF₃、CF₄中的任意一种。

可选地，所述疏水化处理包括将所述载体的底部处理为粗糙表面。

可选地，使所述载体的底部经过氩气处理以形成所述粗糙表面；或者，经过氩离子离子束进行的物理离子撞击以形成所述粗糙表面。

可选地，通过Photolithography、Dry-Etching中的一种方法进行所述氩气处理。

可选地，所述粗糙表面还经过氟化处理。

根据本发明的第二方面，提供了一种麦克风封装结构，包括上述任意一项所述的防尘结构，所述防尘结构固定在麦克风封装结构的声孔上；

或者，所述防尘结构包覆麦克风封装结构内的MEMS芯片。

根据本发明的第三方面，提供了一种电子设备，包括上述的麦克风封装结构。

根据本公开的一个实施例，通过对载体表面进行疏水化处理，降低防尘结构与转印到的UV胶带上的粘接力，这样更容易将防尘结构从UV胶带上取下，不会对防尘结构造成损坏。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。