[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911422248.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130500A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣;马凤麟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法,包括：
提供衬底，所述衬底包括多个存储单元源极区以及位于所述存储单元源极区之间的连接区；
在所述衬底上形成栅氧层；
在所述栅氧层上形成第零多晶硅薄膜；
通过去除所述连接区的所述第零多晶硅薄膜，且保留所述存储单元源极区的第零多晶硅薄膜，获得第零多晶硅层；
在所述衬底上依次形成介质层和第一多晶硅层；
在所述第一多晶硅层上形成带光刻图形的光刻胶，所述光刻图形露出所述存储单元源极区和所述连接区的第一多晶硅层，所述存储单元源极区的第一多晶硅层向下依次为介质层、第零多晶硅层、栅氧层、衬底，所述连接区的第一多晶硅层向下依次为介质层、栅氧层、衬底；
通过第一次刻蚀去除所述光刻图形露出的所述存储单元源极区和所述连接区的第一多晶硅层；
通过第二次刻蚀去除所述光刻图形露出的所述存储单元源极区和所述连接区的介质层；
通过第三次刻蚀去除所述光刻图形露出的所述存储单元源极区的第零多晶硅层，在第三次刻蚀过程中，通过设定多晶硅和二氧化硅的刻蚀选择比，完全去除所述存储单元源极区的第零多晶硅层，且保留至少部分所述连接区的栅氧层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中的工艺气体包括二氟甲烷。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底上形成的栅氧层厚度为90埃，所述第二次刻蚀后所述连接区的栅氧层厚度大于等于40埃且小于等于60埃，所述第三次刻蚀后所述存储单元源极区的栅氧层厚度大于80且小于等于90埃，且所述连接区的栅氧层厚度大于等于30埃且小于等于50埃。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的介质层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，设定第三次刻蚀中多晶硅和二氧化硅的刻蚀选择比为100:1。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一次刻蚀、所述第二次刻蚀、所述第三次刻蚀均包括主刻蚀和过刻蚀两步。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二次刻蚀的过刻蚀步骤中，通过设定所述第二次刻蚀中的刻蚀速率，完全去除所述光刻图形露出的所述存储单元源极区和所述连接区的介质层，且至少部分保留所述连接区的栅氧层。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底还包括存储单元漏极区，所述光刻图形还露出所述存储单元漏极区。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是通过权利要求1-8任一项所述的制造方法进行制造的。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为嵌入式闪存器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
