[发明专利]一种关态负载断路检测电路

权利要求书

1.一种关态负载断路检测电路，其特征在于，包括开关模块(101)、负载通断判断模块(102)和控制模块(103)，其中，

所述开关模块(101)连接至待测负载电路(104)，用于为待测负载电路(104)提供电流；

所述负载通断判断模块(102)连接至所述待测负载电路(104)，用于接收来自所述待测负载电路(104)的负载电压(V_out)并根据所述负载电压(V_out)生成电压判断信号；

所述控制模块(103)连接至所述负载通断判断模块(102)和所述开关模块(101)，用于根据所述电压判断信号判断所述待测负载电路(104)是否断路，并且在所述待测负载电路(104)断路时控制所述开关模块(101)持续处于关断状态；

所述开关模块(101)包括第一NMOS管(N1)，所述第一NMOS管(N1)的漏极连接至第一电源电压(V_high)的输入端，源极连接至所述待测负载电路(104)，栅极连接至所述控制模块(103)；

所述第一NMOS管(N1)在负载断路检测过程中处于关断状态，并且在判断出所述待测负载电路(104)断路时根据来自所述控制模块(103)的控制信号持续处于关断状态；

所述负载通断判断模块(102)包括第一高阻单元(1021)、二极管(D1)、第二NMOS管(N2)以及第二高阻单元(1022)，其中，

所述第一高阻单元(1021)的第一端连接至所述第一电源电压(V_high)的输入端，第二端连接至所述二极管(D1)的输入端，所述第二NMOS管(N2)的漏极连接至所述二极管(D1)的输出端，所述第二NMOS管(N2)的栅极连接至第二电源电压(V_low)的输入端，所述第二高阻单元(1022)连接在所述第二NMOS管(N2)的源极与接地端(GND)之间；

所述待测负载电路(104)和所述第一NMOS管(N1)的源极均连接至所述二极管(D1)的输入端；

所述控制模块(103)包括整形单元(1031)和逻辑单元(1032)，其中，

所述整形单元(1031)连接至所述第二NMOS管(N2)的源极，用于将所述负载通断判断模块(102)生成的所述电压判断信号转换为数字判断信号；

所述逻辑单元(1032)连接至所述整形单元(1031)，用于根据所述数字判断信号判断所述待测负载电路(104)的通断，并在判断出所述待测负载电路(104)断路时控制所述第一NMOS管(N1)持续处于关断状态。

2.根据权利要求1所述的关态负载断路检测电路，其特征在于，所述第一电源电压(V_high)大于所述第二电源电压(V_low)。

3.根据权利要求1所述的关态负载断路检测电路，其特征在于，所述第一电源电压(V_high)的供电电压范围是4V-100V，所述第二电源电压(V_low)的供电电压范围是3V-5.5V。

4.根据权利要求1所述的关态负载断路检测电路，其特征在于，所述第一高阻单元(1021)和所述第二高阻单元(1022)均为电阻。

5.根据权利要求1所述的关态负载断路检测电路，其特征在于，所述第一高阻单元(1021)和所述第二高阻单元(1022)的阻值均高于500千欧。

6.根据权利要求5所述的关态负载断路检测电路，其特征在于，所述逻辑单元(1032)还连接至功率管控制信号(V_in)的输入端，用于在所述待测负载电路(104)正常工作过程中控制所述开关模块(101)的导通和关断。

7.根据权利要求6所述的关态负载断路检测电路，其特征在于，所述控制模块(103)还包括驱动单元(1033)，所述驱动单元(1033)的输入端连接至所述逻辑单元(1032)的输出端，所述驱动单元(1033)的输出端连接至所述第一NMOS管(N1)的栅极；所述驱动单元(1033)用于根据来自所述逻辑单元(1032)的控制信号，驱动所述第一NMOS管(N1)在所述待测负载电路(104)断路时持续处于关断状态。