[发明专利]一种关态负载断路检测电路

说明书

本发明公开了一种关态负载断路检测电路，包括开关模块、负载通断判断模块和控制模块，其中，开关模块连接至待测负载电路，为待测负载电路提供电流；负载通断判断模块连接至待测负载电路，用于接收来自待测负载电路的负载电压并根据负载电压生成电压判断信号；控制模块连接至负载通断判断模块和开关模块，用于根据电压判断信号判断待测负载电路是否断路，并且在待测负载电路断路时控制开关模块持续处于关断状态。本发明的关态负载断路检测电路能够在功率管关断的情况下识别负载电路是否断路，并在负载电路断路时控制功率管保持断开，以防止对芯片电路造成损伤。

技术领域

本发明属于检测电路技术领域，具体涉及一种关态负载断路检测电路。

背景技术

高边功率驱动芯片用于为对地负载提供输出电流，芯片内部逻辑电路控制功率管的开启，芯片内部功率管为对地负载提供电流。为了解负载电路的工作状态，需要在功率管关断的情况下检测负载电路是否存在断路。当芯片功率管处于关断状态，且负载由于操作失误或其它原因造成断路时，需将该错误状态报送逻辑控制电路，通过逻辑控制电路关闭功率管。实现该部分功能的电路为关态负载断路检测电路。

请参见图1，图1是现有技术的一种关态负载断路检测电路的电路结构图。目前的关态负载断路检测电路多采用高压整形电路对负载电压V_out进行采样。如图所示，功率管NM连接负载电路，用于在正常工作过程中开启负载电路，若功率管NM处于关断状态，而负载R_load连接正常，则负载电压V_out为低电平；若功率管NM处于关断状态，而负载R_load处于断路状态，则负载电压V_out为高电平。整形电路能够识别负载电压的高电平，并将断路状态信号输出至逻辑电路，随后，逻辑电路将功率管NM锁定在关断状态，以避免负载R_load处于断路状态而功率管NM重新开启时对芯片其他器件造成损伤。

然而，在负载电路断路状态下，负载电压V_out接近于较大的电源电压V_high，当V_high电压宽范围工作时，可能会对后级整形单元造成损伤，对后级整形单元耐压要求较高，且整形电路为高压电路，则占用版图面积较大。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种关态负载断路检测电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种关态负载断路检测电路，包括开关模块、负载通断判断模块和控制模块，其中，

所述开关模块连接至待测负载电路，用于控制为待测负载电路提供电流；

所述负载通断判断模块连接至所述待测负载电路，用于接收来自所述待测负载电路的负载电压并根据所述负载电压生成电压判断信号；

所述控制模块连接至所述负载通断判断模块和所述开关模块，用于根据所述电压判断信号判断所述待测负载电路是否断路，并且在所述待测负载电路断路时控制所述开关模块持续处于关断状态。

在本发明的一个实施例中，所述开关模块包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接至第一电源电压的输入端，源极连接至所述待测负载电路，栅极连接至所述控制模块；

所述第一NMOS管在负载断路检测过程中处于关断状态，并且在判断出所述待测负载电路断路时根据来自所述控制模块的控制信号持续处于关断状态。

在本发明的一个实施例中，所述负载通断判断模块包括第一高阻单元、二极管、第二NMOS管以及第二高阻单元，其中，

所述第一高阻单元的第一端连接至所述第一电源电压的输入端，第二端连接至所述二极管的输入端，所述第二NMOS管的漏极连接至所述二极管的输出端，所述第二NMOS管的栅极连接至第二电源电压的输入端，所述第二高阻单元连接在所述第二NMOS管的源极与接地端之间；