[发明专利]磁隧道结中势垒层的制备方法、磁隧道结及其制备方法有效
| 申请号： | 201911425363.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130735B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 宫俊录;孟凡涛;蒋信;刘波 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隧道 结中势垒层 制备 方法 及其 | ||
1.一种磁隧道结中势垒层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在参考层或自由层上沉积n次势垒层材料，形成n层势垒层薄膜，在相邻各次沉积所述势垒层材料的步骤之间，对所述势垒层材料进行热处理，2＜n＜10，n为自然数，所述热处理的时间独立地满足0.1～2min，所述各层势垒层薄膜的沉积速率≤0.2nm/s，
通过对下层势垒层材料进行所述热处理，使形成的下层势垒层薄膜的结构母版能够起到对所述热处理之后沉积形成的势垒层薄膜的诱导作用。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在相邻各次沉积所述势垒层材料的步骤之间，所述热处理的温度独立地满足200～450℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，各层所述势垒层薄膜的厚度独立地满足0.01～2nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述势垒层材料为绝缘氧化物。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，形成各层所述势垒层薄膜的所述势垒层材料独立地选自MgO、MgZnO、MgAlOx、ZnO、TiOx、ZrOx、AlOx和HfOx中的任一种。
6.一种磁隧道结的制备方法，包括以下步骤：
顺序形成底电极、参考层、势垒层、自由层和顶电极，或顺序形成顶电极、自由层、势垒层、参考层和底电极，其特征在于，采用权利要求1至5中任一项所述的制备方法制备形成所述势垒层。
7.一种磁隧道结，其特征在于，包括顺序层叠的底电极、参考层、势垒层、自由层和顶电极，其中，所述势垒层由权利要求1至5中任一项所述的制备方法制备而成。
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