[发明专利]一种检测膜片式真空压力计沉积物的装置及其应用在审
申请号: | 201911425754.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111141813A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 王迪;陈林;林琳;靳毅;郜晨希;刘瑞琪;远雁;郑旭;李超波;张心强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;川北真空科技(北京)有限公司 |
主分类号: | G01N27/62 | 分类号: | G01N27/62;G01L21/30;G01L27/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 方丁一 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 膜片 真空 压力计 沉积物 装置 及其 应用 | ||
1.一种检测膜片式真空压力计沉积物的装置,其特征在于,所述装置包括:
预处理腔室(1),用于将所述膜片式真空压力计中带有沉积物的膜片表面进行预处理,去除杂质;
气化腔室(2),用于将膜片表面的沉积物气化;
分析腔室(3),所述分析腔室(3)与所述气化腔室(2)连通,用于分析气化后的沉积物气体的组成成分。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述气化腔室(2)中设置电子枪或离子注入装置,所述电子枪或离子注入装置用于轰击膜片表面的沉积物,使该沉积物气化。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述气化腔室(2)中设置第一加热装置,所述第一加热装置用于轰击膜片表面的沉积物,使该沉积物气化。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述预处理腔室(1)中设置第二加热装置,所述第二加热装置用于去除水蒸气。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括减压装置(4),所述减压装置(4)设置于所述气化腔室(2)与所述分析腔室(3)之间,用于对气化后的沉积物气体进行减压。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述减压装置(4)包括流体通道和设置于同一平面上的N个不同直径的孔或孔阵,该平面垂直于所述流体通道,N≥2。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述分析腔室(3)中设置质谱分析仪器。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述质谱分析仪器为磁偏转质谱计、离子阱质谱计、四极质谱计、飞行时间质谱计中的一种。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述预处理腔室(1)、所述气化腔室(2)、所述分析腔室(3)和所述减压装置(4)均设置相应的真空度。
10.一种利用权利要求1-9所述的装置进行膜片式真空压力计沉积物清除的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;川北真空科技(北京)有限公司,未经中国科学院微电子研究所;川北真空科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911425754.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。