[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一半导体器件，其特征在于，包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述半导体器件进一步包括：

一N型电极，其包括一N型电极焊盘、至少一N型电极扩展条以及至少一列N型电极连接针，其中所述N型电极焊盘于所述半导体器件的第二端部在穿过所述钝化保护层后延伸至和被电连接于所述N型半导体层，其中所述N型电极扩展条以层叠于所述钝化保护层的方式自所述N型电极焊盘向所述半导体器件的第一端部方向延伸，其中每列所述N型电极连接针分别在穿过所述钝化保护层后自所述N型电极扩展条延伸至和被电连接于所述N型半导体层；和

一P型电极，其包括一P型电极焊盘、至少一P型电极扩展条以及至少一P型电极连接针，其中所述P型电极焊盘于所述半导体器件的第一端部在穿过所述钝化保护层和所述透明导电层后延伸至和被电连接于所述P型半导体层，其中所述P型电极扩展条以层叠于所述钝化保护层的方式自所述P型电极焊盘向所述半导体器件的第二端部方向延伸，其中每列所述P型电极连接针分别在穿过所述钝化保护层后自所述P型电极扩展条延伸至和被电连接于所述透明导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述N型电极包括一个所述N型电极扩展条，其层叠于所述钝化保护层的中部，相应地，所述P型电极包括两个所述P型电极扩展条，其分别层叠于所述钝化保护层的边缘。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述N型电极包括两个所述N型电极扩展条，其分别层叠于所述钝化保护层的边缘，相应地，所述P型电极包括一个所述P型电极扩展条，其层叠于所述钝化保护层的中部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述N型电极包括两个所述N型电极扩展条，其分别层叠于所述钝化保护层的中部，相应地，所述P型电极包括三个所述P型电极扩展条，其中三个所述P型电极扩展条中的一个所述P型电极扩展条层叠于所述钝化保护层的中部，另外两个所述P型电极扩展条分别层叠于所述钝化保护层的边缘，并且在任意两个所述P型电极扩展条之间被保持有一个所述N型电极扩展条。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述N型电极包括三个所述N 型电极扩展条，其中三个所述N型电极扩展条中的一个所述N型电极扩展条层叠于所述钝化保护层的中部，另外两个所述N型电极扩展条分别层叠于所述钝化保护层的边缘，相应地，所述P型电极包括两个所述P型电极扩展条，其分别层叠于所述钝化保护层的中部，并且在任意两个所述N型电极扩展条之间被保持有一个所述P型电极扩展条。

6.根据权利要求1至5中任一所述的半导体器件，其中所述P型电极包括至少一P型电极扩展部以及至少一P型电极扩展连接针，其中每个所述P型电极扩展部以层叠于所述钝化保护层的方式延伸自所述P型电极焊盘，每个所述P型电极连接针分别在穿过所述钝化保护层后自每个所述P型电极扩展部延伸至和被电连接于所述透明导电层。

7.根据权利要求1至5中任一所述的半导体器件，其中所述N型电极的所述N型电极连接针的截面形状选自：跑道形、圆形、椭圆形、三角形、方形、五边形、六边形组成的形状组；相应地，所述P型电极的所述P型电极连接针的截面形状选自：跑道形、圆形、椭圆形、三角形、方形、五边形、六边形组成的形状组。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述N型电极的所述N型电极连接针的截面形状选自：跑道形、圆形、椭圆形、三角形、方形、五边形、六边形组成的形状组；相应地，所述P型电极的所述P型电极连接针的截面形状选自：跑道形、圆形、椭圆形、三角形、方形、五边形、六边形组成的形状组。

9.根据权利要求1至5中任一所述的半导体器件，其中所述N型电极的相邻所述N型电极连接针之间的间距依次渐变，相应地，所述P型电极的相邻所述P型电极连接针之间的间距依次渐变。